ZXMP7A17KTC,922-8516,DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXMP7A17KTC, 5.7 A, Vds=70 V, 3引脚 DPAK封装 ,DiodesZetex
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ZXMP7A17KTC
DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXMP7A17KTC, 5.7 A, Vds=70 V, 3引脚 DPAK封装
制造商零件编号:
ZXMP7A17KTC
制造商:
DiodesZetex
DiodesZetex
库存编号:
922-8516
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
ZXMP7A17KTC产品详细信息
P 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc
ZXMP7A17KTC产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
6.73mm
尺寸
6.73 x 6.22 x 2.39mm
典型关断延迟时间
27.9 ns
典型接通延迟时间
2.5 ns
典型输入电容值@Vds
635 pF @ -40 V
典型栅极电荷@Vgs
9.6 nC @ 5 V
封装类型
DPAK
高度
2.39mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
6.22mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
P
通道模式
增强
引脚数目
3
最大功率耗散
9.25 W
最大连续漏极电流
5.7 A
最大漏源电压
70 V
最大漏源电阻值
250 mΩ
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
1V
关键词
ZXMP7A17KTC相关搜索
安装类型 表面贴装
DiodesZetex 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 6.73mm
DiodesZetex 长度 6.73mm
MOSFET 晶体管 长度 6.73mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 6.73mm
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm
DiodesZetex 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm
MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm
典型关断延迟时间 27.9 ns
DiodesZetex 典型关断延迟时间 27.9 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 27.9 ns
DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 27.9 ns
典型接通延迟时间 2.5 ns
DiodesZetex 典型接通延迟时间 2.5 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 2.5 ns
DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 2.5 ns
典型输入电容值@Vds 635 pF @ -40 V
DiodesZetex 典型输入电容值@Vds 635 pF @ -40 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 635 pF @ -40 V
DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 635 pF @ -40 V
典型栅极电荷@Vgs 9.6 nC @ 5 V
DiodesZetex 典型栅极电荷@Vgs 9.6 nC @ 5 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 9.6 nC @ 5 V
DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 9.6 nC @ 5 V
封装类型 DPAK
DiodesZetex 封装类型 DPAK
MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK
DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK
高度 2.39mm
DiodesZetex 高度 2.39mm
MOSFET 晶体管 高度 2.39mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 2.39mm
晶体管材料 Si
DiodesZetex 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
DiodesZetex 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 6.22mm
DiodesZetex 宽度 6.22mm
MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm
类别 功率 MOSFET
DiodesZetex 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
DiodesZetex MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
DiodesZetex 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 P
DiodesZetex 通道类型 P
MOSFET 晶体管 通道类型 P
DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 P
通道模式 增强
DiodesZetex 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 3
DiodesZetex 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
DiodesZetex MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 9.25 W
DiodesZetex 最大功率耗散 9.25 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 9.25 W
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大功率耗散 9.25 W
最大连续漏极电流 5.7 A
DiodesZetex 最大连续漏极电流 5.7 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5.7 A
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5.7 A
最大漏源电压 70 V
DiodesZetex 最大漏源电压 70 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 70 V
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电压 70 V
最大漏源电阻值 250 mΩ
DiodesZetex 最大漏源电阻值 250 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 250 mΩ
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最大栅源电压 ±20 V
DiodesZetex 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
最低工作温度 -55 °C
DiodesZetex 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
DiodesZetex 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小栅阈值电压 1V
DiodesZetex 最小栅阈值电压 1V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V
邮箱:
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ZXMP7A17KTC产品技术参数资料
Datasheet
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新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
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