ZVN0545A,922-8493,DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN0545A, 90 mA, Vds=450 V, 3引脚 TO-92封装 ,DiodesZetex
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ZVN0545A
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN0545A, 90 mA, Vds=450 V, 3引脚 TO-92封装
制造商零件编号:
ZVN0545A
制造商:
DiodesZetex
DiodesZetex
库存编号:
922-8493
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
ZVN0545A产品详细信息
N 通道 MOSFET,100V 至 950V,Diodes Inc
ZVN0545A产品技术参数
安装类型
通孔
长度
4.77mm
尺寸
4.77 x 2.41 x 4.01mm
典型关断延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
7 ns
典型输入电容值@Vds
70 pF @ 25 V
封装类型
TO-92
高度
4.01mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
2.41mm
类别
小信号
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
3
最大功率耗散
700 mW
最大连续漏极电流
90 mA
最大漏源电压
450 V
最大漏源电阻值
50 Ω
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
ZVN0545A相关搜索
安装类型 通孔
DiodesZetex 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 4.77mm
DiodesZetex 长度 4.77mm
MOSFET 晶体管 长度 4.77mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 4.77mm
尺寸 4.77 x 2.41 x 4.01mm
DiodesZetex 尺寸 4.77 x 2.41 x 4.01mm
MOSFET 晶体管 尺寸 4.77 x 2.41 x 4.01mm
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典型关断延迟时间 16 ns
DiodesZetex 典型关断延迟时间 16 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 16 ns
DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 7 ns
DiodesZetex 典型接通延迟时间 7 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 7 ns
DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 7 ns
典型输入电容值@Vds 70 pF @ 25 V
DiodesZetex 典型输入电容值@Vds 70 pF @ 25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 70 pF @ 25 V
DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 70 pF @ 25 V
封装类型 TO-92
DiodesZetex 封装类型 TO-92
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-92
DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 TO-92
高度 4.01mm
DiodesZetex 高度 4.01mm
MOSFET 晶体管 高度 4.01mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 4.01mm
晶体管材料 Si
DiodesZetex 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
DiodesZetex 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 2.41mm
DiodesZetex 宽度 2.41mm
MOSFET 晶体管 宽度 2.41mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 2.41mm
类别 小信号
DiodesZetex 类别 小信号
MOSFET 晶体管 类别 小信号
DiodesZetex MOSFET 晶体管 类别 小信号
每片芯片元件数目 1
DiodesZetex 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
DiodesZetex 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
DiodesZetex 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 3
DiodesZetex 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
DiodesZetex MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 700 mW
DiodesZetex 最大功率耗散 700 mW
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 700 mW
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大功率耗散 700 mW
最大连续漏极电流 90 mA
DiodesZetex 最大连续漏极电流 90 mA
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 90 mA
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 90 mA
最大漏源电压 450 V
DiodesZetex 最大漏源电压 450 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 450 V
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电压 450 V
最大漏源电阻值 50 Ω
DiodesZetex 最大漏源电阻值 50 Ω
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 50 Ω
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 50 Ω
最大栅源电压 ±20 V
DiodesZetex 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
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最低工作温度 -55 °C
DiodesZetex 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
DiodesZetex 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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ZVN0545A产品技术参数资料
Datasheet
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