DDC115EU-7-F,921-1271,DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DDC115EU-7-F, 100 mA, Vds=50 V, 6引脚 SOT-363封装 ,DiodesZetex
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DDC115EU-7-F
DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DDC115EU-7-F, 100 mA, Vds=50 V, 6引脚 SOT-363封装
制造商零件编号:
DDC115EU-7-F
制造商:
DiodesZetex
DiodesZetex
库存编号:
921-1271
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
DDC115EU-7-F产品详细信息
双电阻器双数字晶体管,Diodes Inc
DDC115EU-7-F产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2.2mm
尺寸
2.2 x 1.35 x 1mm
封装类型
SOT-363
高度
1mm
晶体管材料
Si
宽度
1.35mm
每片芯片元件数目
2
通道类型
N
引脚数目
6
最大功率耗散
200 mW
最大连续漏极电流
100 mA
最大漏源电压
50 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
DDC115EU-7-F相关搜索
安装类型 表面贴装
DiodesZetex 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
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长度 2.2mm
DiodesZetex 长度 2.2mm
MOSFET 晶体管 长度 2.2mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 2.2mm
尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm
DiodesZetex 尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm
MOSFET 晶体管 尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm
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封装类型 SOT-363
DiodesZetex 封装类型 SOT-363
MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-363
DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-363
高度 1mm
DiodesZetex 高度 1mm
MOSFET 晶体管 高度 1mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 1mm
晶体管材料 Si
DiodesZetex 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
宽度 1.35mm
DiodesZetex 宽度 1.35mm
MOSFET 晶体管 宽度 1.35mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 1.35mm
每片芯片元件数目 2
DiodesZetex 每片芯片元件数目 2
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2
DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2
通道类型 N
DiodesZetex 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 N
引脚数目 6
DiodesZetex 引脚数目 6
MOSFET 晶体管 引脚数目 6
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最大功率耗散 200 mW
DiodesZetex 最大功率耗散 200 mW
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 200 mW
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大功率耗散 200 mW
最大连续漏极电流 100 mA
DiodesZetex 最大连续漏极电流 100 mA
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 100 mA
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 100 mA
最大漏源电压 50 V
DiodesZetex 最大漏源电压 50 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 50 V
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最低工作温度 -55 °C
DiodesZetex 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
DiodesZetex 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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DDC115EU-7-F产品技术参数资料
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