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安装类型	表面贴装
长度	5.1mm
尺寸	5.1 x 6 x 1.05mm
典型关断延迟时间	13 ns
典型接通延迟时间	3.4 ns
典型输入电容值@Vds	864 pF @ 30 V
典型栅极电荷@Vgs	17 nC @ 10 V
封装类型	POWERDI5060
高度	1.05mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	6mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	8
正向二极管电压	1.2V
最大功率耗散	2.7 W
最大连续漏极电流	32 A
最大漏源电压	60 V
最大漏源电阻值	0.024 Ω
最大栅阈值电压	2.5V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	1V
关键词

安装类型 表面贴装  DiodesZetex 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 5.1mm  DiodesZetex 长度 5.1mm  MOSFET 晶体管 长度 5.1mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 5.1mm   尺寸 5.1 x 6 x 1.05mm  DiodesZetex 尺寸 5.1 x 6 x 1.05mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5.1 x 6 x 1.05mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 尺寸 5.1 x 6 x 1.05mm   典型关断延迟时间 13 ns  DiodesZetex 典型关断延迟时间 13 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 13 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 13 ns   典型接通延迟时间 3.4 ns  DiodesZetex 典型接通延迟时间 3.4 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 3.4 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 3.4 ns   典型输入电容值@Vds 864 pF @ 30 V  DiodesZetex 典型输入电容值@Vds 864 pF @ 30 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 864 pF @ 30 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 864 pF @ 30 V   典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V  DiodesZetex 典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V   封装类型 POWERDI5060  DiodesZetex 封装类型 POWERDI5060  MOSFET 晶体管 封装类型 POWERDI5060  DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 POWERDI5060   高度 1.05mm  DiodesZetex 高度 1.05mm  MOSFET 晶体管 高度 1.05mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 1.05mm   晶体管材料 Si  DiodesZetex 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  DiodesZetex 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 6mm  DiodesZetex 宽度 6mm  MOSFET 晶体管 宽度 6mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 6mm   每片芯片元件数目 1  DiodesZetex 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  DiodesZetex 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  DiodesZetex 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 8  DiodesZetex 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  DiodesZetex MOSFET 晶体管 引脚数目 8   正向二极管电压 1.2V  DiodesZetex 正向二极管电压 1.2V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V   最大功率耗散 2.7 W  DiodesZetex 最大功率耗散 2.7 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.7 W  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.7 W   最大连续漏极电流 32 A  DiodesZetex 最大连续漏极电流 32 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 32 A  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 32 A   最大漏源电压 60 V  DiodesZetex 最大漏源电压 60 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V   最大漏源电阻值 0.024 Ω  DiodesZetex 最大漏源电阻值 0.024 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.024 Ω  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.024 Ω   最大栅阈值电压 2.5V  DiodesZetex 最大栅阈值电压 2.5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.5V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.5V   最大栅源电压 ±20 V  DiodesZetex 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1V  DiodesZetex 最小栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  

• DMT6016LPS, 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET POWERDI