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安装类型	表面贴装
长度	2.05mm
尺寸	2.05 x 2.05 x 0.58mm
典型关断延迟时间	141 ns
典型接通延迟时间	25.1 ns
典型输入电容值@Vds	2712 pF @ -10 V
典型栅极电荷@Vgs	48.3 nC @ 8 V
封装类型	UDFN
高度	0.58mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	2.05mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
引脚数目	6
正向二极管电压	1.2V
最大功率耗散	2.1 W
最大连续漏极电流	11 A
最大漏源电压	12 V
最大漏源电阻值	0.032 Ω
最大栅阈值电压	0.8V
最大栅源电压	±8 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	0.35V
关键词

安装类型 表面贴装  DiodesZetex 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2.05mm  DiodesZetex 长度 2.05mm  MOSFET 晶体管 长度 2.05mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 2.05mm   尺寸 2.05 x 2.05 x 0.58mm  DiodesZetex 尺寸 2.05 x 2.05 x 0.58mm  MOSFET 晶体管 尺寸 2.05 x 2.05 x 0.58mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 尺寸 2.05 x 2.05 x 0.58mm   典型关断延迟时间 141 ns  DiodesZetex 典型关断延迟时间 141 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 141 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 141 ns   典型接通延迟时间 25.1 ns  DiodesZetex 典型接通延迟时间 25.1 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 25.1 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 25.1 ns   典型输入电容值@Vds 2712 pF @ -10 V  DiodesZetex 典型输入电容值@Vds 2712 pF @ -10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2712 pF @ -10 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2712 pF @ -10 V   典型栅极电荷@Vgs 48.3 nC @ 8 V  DiodesZetex 典型栅极电荷@Vgs 48.3 nC @ 8 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 48.3 nC @ 8 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 48.3 nC @ 8 V   封装类型 UDFN  DiodesZetex 封装类型 UDFN  MOSFET 晶体管 封装类型 UDFN  DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 UDFN   高度 0.58mm  DiodesZetex 高度 0.58mm  MOSFET 晶体管 高度 0.58mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 0.58mm   晶体管材料 Si  DiodesZetex 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  DiodesZetex 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 2.05mm  DiodesZetex 宽度 2.05mm  MOSFET 晶体管 宽度 2.05mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 2.05mm   每片芯片元件数目 1  DiodesZetex 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  DiodesZetex 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  DiodesZetex 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 6  DiodesZetex 引脚数目 6  MOSFET 晶体管 引脚数目 6  DiodesZetex MOSFET 晶体管 引脚数目 6   正向二极管电压 1.2V  DiodesZetex 正向二极管电压 1.2V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V   最大功率耗散 2.1 W  DiodesZetex 最大功率耗散 2.1 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.1 W  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.1 W   最大连续漏极电流 11 A  DiodesZetex 最大连续漏极电流 11 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 11 A  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 11 A   最大漏源电压 12 V  DiodesZetex 最大漏源电压 12 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 12 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电压 12 V   最大漏源电阻值 0.032 Ω  DiodesZetex 最大漏源电阻值 0.032 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.032 Ω  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.032 Ω   最大栅阈值电压 0.8V  DiodesZetex 最大栅阈值电压 0.8V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 0.8V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 0.8V   最大栅源电压 ±8 V  DiodesZetex 最大栅源电压 ±8 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V   最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 0.35V  DiodesZetex 最小栅阈值电压 0.35V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.35V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.35V  

• DMP1022UFDF, 12V P-Channel Enhancement Mode MOSFET