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安装类型	表面贴装
长度	1.8mm
尺寸	1.8 x 1.8 x 0.24mm
典型关断延迟时间	75 ns
典型接通延迟时间	10 ns
典型输入电容值@Vds	2564 pF @ 10 V
典型栅极电荷@Vgs	29 nC @ 4.5 V
封装类型	X1-WLB
高度	0.24mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	共漏极
宽度	1.8mm
每片芯片元件数目	2
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	4
正向二极管电压	1V
最大功率耗散	1.45 W
最大连续漏极电流	6 A
最大漏源电压	24 V
最大漏源电阻值	0.04 Ω
最大栅阈值电压	1.3V
最大栅源电压	±12 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	0.5V
关键词

安装类型 表面贴装  DiodesZetex 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 1.8mm  DiodesZetex 长度 1.8mm  MOSFET 晶体管 长度 1.8mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 1.8mm   尺寸 1.8 x 1.8 x 0.24mm  DiodesZetex 尺寸 1.8 x 1.8 x 0.24mm  MOSFET 晶体管 尺寸 1.8 x 1.8 x 0.24mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 尺寸 1.8 x 1.8 x 0.24mm   典型关断延迟时间 75 ns  DiodesZetex 典型关断延迟时间 75 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 75 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 75 ns   典型接通延迟时间 10 ns  DiodesZetex 典型接通延迟时间 10 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10 ns   典型输入电容值@Vds 2564 pF @ 10 V  DiodesZetex 典型输入电容值@Vds 2564 pF @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2564 pF @ 10 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2564 pF @ 10 V   典型栅极电荷@Vgs 29 nC @ 4.5 V  DiodesZetex 典型栅极电荷@Vgs 29 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 29 nC @ 4.5 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 29 nC @ 4.5 V   封装类型 X1-WLB  DiodesZetex 封装类型 X1-WLB  MOSFET 晶体管 封装类型 X1-WLB  DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 X1-WLB   高度 0.24mm  DiodesZetex 高度 0.24mm  MOSFET 晶体管 高度 0.24mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 0.24mm   晶体管材料 Si  DiodesZetex 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 共漏极  DiodesZetex 晶体管配置 共漏极  MOSFET 晶体管 晶体管配置 共漏极  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管配置 共漏极   宽度 1.8mm  DiodesZetex 宽度 1.8mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.8mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 1.8mm   每片芯片元件数目 2  DiodesZetex 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 N  DiodesZetex 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  DiodesZetex 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 4  DiodesZetex 引脚数目 4  MOSFET 晶体管 引脚数目 4  DiodesZetex MOSFET 晶体管 引脚数目 4   正向二极管电压 1V  DiodesZetex 正向二极管电压 1V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1V   最大功率耗散 1.45 W  DiodesZetex 最大功率耗散 1.45 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.45 W  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.45 W   最大连续漏极电流 6 A  DiodesZetex 最大连续漏极电流 6 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 6 A  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 6 A   最大漏源电压 24 V  DiodesZetex 最大漏源电压 24 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 24 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电压 24 V   最大漏源电阻值 0.04 Ω  DiodesZetex 最大漏源电阻值 0.04 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.04 Ω  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.04 Ω   最大栅阈值电压 1.3V  DiodesZetex 最大栅阈值电压 1.3V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.3V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.3V   最大栅源电压 ±12 V  DiodesZetex 最大栅源电压 ±12 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V   最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 0.5V  DiodesZetex 最小栅阈值电压 0.5V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.5V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.5V  

• Datasheet
• DMN2023UCB4, N-Channel Enhancement Mode Field MOSFET