DMN10H099SFG-7,921-1041,DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN10H099SFG-7, 5.8 A, Vds=100 V, 8引脚 POWERDI3333封装 ,DiodesZetex
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN10H099SFG-7, 5.8 A, Vds=100 V, 8引脚 POWERDI3333封装

制造商零件编号:
DMN10H099SFG-7
库存编号:
921-1041
DiodesZetex DMN10H099SFG-7
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

DMN10H099SFG-7产品详细信息

双 N 通道 MOSFET,Diodes Inc.

DMN10H099SFG-7产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3.35mm  
  尺寸  3.35 x 3.35 x 0.8mm  
  典型关断延迟时间  20 ns  
  典型接通延迟时间  5.4 ns  
  典型输入电容值@Vds  1172 pF @ 50 V  
  典型栅极电荷@Vgs  25.2 nC @ 10 V  
  封装类型  POWERDI3333  
  高度  0.8mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  3.35mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  8  
  正向二极管电压  0.77V  
  最大功率耗散  2.31 W  
  最大连续漏极电流  5.8 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  0.099 Ω  
  最大栅阈值电压  3V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1.5V  
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DMN10H099SFG-7相关搜索

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

DMN10H099SFG-7产品技术参数资料

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