APT27ZTR-G1,921-0843,DiodesZetex N沟道 Si MOSFET APT27ZTR-G1, 800mA, Vds=700 V, 3引脚 TO-92封装 ,DiodesZetex
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APT27ZTR-G1
DiodesZetex N沟道 Si MOSFET APT27ZTR-G1, 800mA, Vds=700 V, 3引脚 TO-92封装
制造商零件编号:
APT27ZTR-G1
制造商:
DiodesZetex
DiodesZetex
库存编号:
921-0843
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
APT27ZTR-G1产品详细信息
高电压晶体管,Diodes Inc
APT27ZTR-G1产品技术参数
安装类型
通孔
长度
4.7mm
尺寸
4.7 x 3.7 x 4.7mm
封装类型
TO-92
高度
4.7mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
3.7mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
引脚数目
3
最大功率耗散
800 mW
最大连续漏极电流
800mA
最大漏源电压
700 V
最大栅源电压
9 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
APT27ZTR-G1相关搜索
安装类型 通孔
DiodesZetex 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 4.7mm
DiodesZetex 长度 4.7mm
MOSFET 晶体管 长度 4.7mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 4.7mm
尺寸 4.7 x 3.7 x 4.7mm
DiodesZetex 尺寸 4.7 x 3.7 x 4.7mm
MOSFET 晶体管 尺寸 4.7 x 3.7 x 4.7mm
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封装类型 TO-92
DiodesZetex 封装类型 TO-92
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-92
DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 TO-92
高度 4.7mm
DiodesZetex 高度 4.7mm
MOSFET 晶体管 高度 4.7mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 4.7mm
晶体管材料 Si
DiodesZetex 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
DiodesZetex 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 3.7mm
DiodesZetex 宽度 3.7mm
MOSFET 晶体管 宽度 3.7mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 3.7mm
类别 功率 MOSFET
DiodesZetex 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
DiodesZetex MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
DiodesZetex 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
DiodesZetex 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 N
引脚数目 3
DiodesZetex 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
DiodesZetex MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 800 mW
DiodesZetex 最大功率耗散 800 mW
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 800 mW
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大功率耗散 800 mW
最大连续漏极电流 800mA
DiodesZetex 最大连续漏极电流 800mA
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 800mA
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 800mA
最大漏源电压 700 V
DiodesZetex 最大漏源电压 700 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 700 V
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电压 700 V
最大栅源电压 9 V
DiodesZetex 最大栅源电压 9 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 9 V
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅源电压 9 V
最低工作温度 -55 °C
DiodesZetex 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
DiodesZetex 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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APT27ZTR-G1产品技术参数资料
APT27, 450V NPN High Voltage Power Transistor
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