SI3442CDV-T1-GE3,919-5918,Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI3442CDV-T1-GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装 ,Vishay
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI3442CDV-T1-GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装

制造商零件编号:
SI3442CDV-T1-GE3
制造商:
Vishay Vishay
库存编号:
919-5918
Vishay SI3442CDV-T1-GE3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

SI3442CDV-T1-GE3产品详细信息

N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor

SI3442CDV-T1-GE3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3.1mm  
  尺寸  3.1 x 1.7 x 1mm  
  典型关断延迟时间  17 ns  
  典型接通延迟时间  9 ns  
  典型输入电容值@Vds  335 pF @ 10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  9.2 nC @ 10 V  
  封装类型  TSOP  
  高度  1mm  
  宽度  1.7mm  
  类别  Trench MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  2.7 W  
  最大连续漏极电流  8 A  
  最大漏源电压  20 V  
  最大漏源电阻值  3 Ω  
  最大栅源电压  ±12 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.6V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SI3442CDV-T1-GE3产品技术参数资料

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