SI3442CDV-T1-GE3,919-5918,Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI3442CDV-T1-GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装 ,Vishay
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SI3442CDV-T1-GE3
Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI3442CDV-T1-GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
制造商零件编号:
SI3442CDV-T1-GE3
制造商:
Vishay
Vishay
库存编号:
919-5918
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SI3442CDV-T1-GE3产品详细信息
N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor
SI3442CDV-T1-GE3产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
3.1mm
尺寸
3.1 x 1.7 x 1mm
典型关断延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
9 ns
典型输入电容值@Vds
335 pF @ 10 V
典型栅极电荷@Vgs
9.2 nC @ 10 V
封装类型
TSOP
高度
1mm
宽度
1.7mm
类别
Trench MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
6
最大功率耗散
2.7 W
最大连续漏极电流
8 A
最大漏源电压
20 V
最大漏源电阻值
3 Ω
最大栅源电压
±12 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
0.6V
关键词
SI3442CDV-T1-GE3相关搜索
安装类型 表面贴装
Vishay 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 3.1mm
Vishay 长度 3.1mm
MOSFET 晶体管 长度 3.1mm
Vishay MOSFET 晶体管 长度 3.1mm
尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm
Vishay 尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm
MOSFET 晶体管 尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm
Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm
典型关断延迟时间 17 ns
Vishay 典型关断延迟时间 17 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 17 ns
Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 9 ns
Vishay 典型接通延迟时间 9 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9 ns
Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9 ns
典型输入电容值@Vds 335 pF @ 10 V
Vishay 典型输入电容值@Vds 335 pF @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 335 pF @ 10 V
Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 335 pF @ 10 V
典型栅极电荷@Vgs 9.2 nC @ 10 V
Vishay 典型栅极电荷@Vgs 9.2 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 9.2 nC @ 10 V
Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 9.2 nC @ 10 V
封装类型 TSOP
Vishay 封装类型 TSOP
MOSFET 晶体管 封装类型 TSOP
Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 TSOP
高度 1mm
Vishay 高度 1mm
MOSFET 晶体管 高度 1mm
Vishay MOSFET 晶体管 高度 1mm
宽度 1.7mm
Vishay 宽度 1.7mm
MOSFET 晶体管 宽度 1.7mm
Vishay MOSFET 晶体管 宽度 1.7mm
类别 Trench MOSFET
Vishay 类别 Trench MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 Trench MOSFET
Vishay MOSFET 晶体管 类别 Trench MOSFET
每片芯片元件数目 1
Vishay 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Vishay 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Vishay 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 6
Vishay 引脚数目 6
MOSFET 晶体管 引脚数目 6
Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 6
最大功率耗散 2.7 W
Vishay 最大功率耗散 2.7 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.7 W
Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.7 W
最大连续漏极电流 8 A
Vishay 最大连续漏极电流 8 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 8 A
Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 8 A
最大漏源电压 20 V
Vishay 最大漏源电压 20 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V
Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V
最大漏源电阻值 3 Ω
Vishay 最大漏源电阻值 3 Ω
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 3 Ω
Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 3 Ω
最大栅源电压 ±12 V
Vishay 最大栅源电压 ±12 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V
Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V
最低工作温度 -55 °C
Vishay 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
Vishay 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小栅阈值电压 0.6V
Vishay 最小栅阈值电压 0.6V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.6V
Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.6V
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SI3442CDV-T1-GE3产品技术参数资料
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