SI4056DY-T1-GE3,919-5911,Vishay ThunderFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SI4056DY-T1-GE3, 11.1 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装 ,Vishay
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
MOSFET 晶体管
>
SI4056DY-T1-GE3
Vishay ThunderFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SI4056DY-T1-GE3, 11.1 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
制造商零件编号:
SI4056DY-T1-GE3
制造商:
Vishay
Vishay
库存编号:
919-5911
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SI4056DY-T1-GE3产品详细信息
N 通道 MOSFET,中等电压/ThunderFET?,Vishay Semiconductor
SI4056DY-T1-GE3产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
5mm
尺寸
5 x 4 x 1.5mm
典型关断延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
13 ns
典型输入电容值@Vds
900 pF @ 50 V
典型栅极电荷@Vgs
19.6 nC @ 10 V
封装类型
SOIC
高度
1.5mm
宽度
4mm
类别
Trench MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
ThunderFET
引脚数目
8
最大功率耗散
5.7 W
最大连续漏极电流
11.1 A
最大漏源电压
100 V
最大漏源电阻值
31 mΩ
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
1.5V
关键词
SI4056DY-T1-GE3相关搜索
安装类型 表面贴装
Vishay 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 5mm
Vishay 长度 5mm
MOSFET 晶体管 长度 5mm
Vishay MOSFET 晶体管 长度 5mm
尺寸 5 x 4 x 1.5mm
Vishay 尺寸 5 x 4 x 1.5mm
MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4 x 1.5mm
Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4 x 1.5mm
典型关断延迟时间 20 ns
Vishay 典型关断延迟时间 20 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 20 ns
Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 13 ns
Vishay 典型接通延迟时间 13 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13 ns
Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13 ns
典型输入电容值@Vds 900 pF @ 50 V
Vishay 典型输入电容值@Vds 900 pF @ 50 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 900 pF @ 50 V
Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 900 pF @ 50 V
典型栅极电荷@Vgs 19.6 nC @ 10 V
Vishay 典型栅极电荷@Vgs 19.6 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 19.6 nC @ 10 V
Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 19.6 nC @ 10 V
封装类型 SOIC
Vishay 封装类型 SOIC
MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC
Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC
高度 1.5mm
Vishay 高度 1.5mm
MOSFET 晶体管 高度 1.5mm
Vishay MOSFET 晶体管 高度 1.5mm
宽度 4mm
Vishay 宽度 4mm
MOSFET 晶体管 宽度 4mm
Vishay MOSFET 晶体管 宽度 4mm
类别 Trench MOSFET
Vishay 类别 Trench MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 Trench MOSFET
Vishay MOSFET 晶体管 类别 Trench MOSFET
每片芯片元件数目 1
Vishay 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Vishay 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Vishay 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强
系列 ThunderFET
Vishay 系列 ThunderFET
MOSFET 晶体管 系列 ThunderFET
Vishay MOSFET 晶体管 系列 ThunderFET
引脚数目 8
Vishay 引脚数目 8
MOSFET 晶体管 引脚数目 8
Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 8
最大功率耗散 5.7 W
Vishay 最大功率耗散 5.7 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 5.7 W
Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 5.7 W
最大连续漏极电流 11.1 A
Vishay 最大连续漏极电流 11.1 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 11.1 A
Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 11.1 A
最大漏源电压 100 V
Vishay 最大漏源电压 100 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V
Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V
最大漏源电阻值 31 mΩ
Vishay 最大漏源电阻值 31 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 31 mΩ
Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 31 mΩ
最大栅源电压 ±20 V
Vishay 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
最低工作温度 -55 °C
Vishay 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
Vishay 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小栅阈值电压 1.5V
Vishay 最小栅阈值电压 1.5V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.5V
Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.5V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
SI4056DY-T1-GE3产品技术参数资料
Datasheet
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号