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安装类型	通孔
典型关断延迟时间	70 ns
典型接通延迟时间	12 ns
典型输入电容值@Vds	1360 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	60 nC @ 10 V
封装类型	TO-220AB
高度	8.77mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	HEXFET
引脚数目	3
最大功率耗散	110 W
最大连续漏极电流	48 A
最大漏源电压	60 V
最大漏源电阻值	23 mΩ
最大栅阈值电压	4V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

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