IRLML6401TRPBF,919-4713,Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML6401TRPBF, 4.3 A, Vds=12 V, 3引脚 微型封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML6401TRPBF, 4.3 A, Vds=12 V, 3引脚 微型封装

制造商零件编号：
IRLML6401TRPBF
库存编号：
919-4713
Infineon IRLML6401TRPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
  美国1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRLML6401TRPBF
库存编号:IRLML6401PBFTR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT2370886
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IRLML6401TRPBF
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IRLML6401TRPBF
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IRLML6401TRPBF-1
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1起订		6-10天询价 询价
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  美国2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRLML6401TRPBF
库存编号:942-IRLML6401TRPBF		 Infineon Technologies AG MOSFETs MOSFT P-Ch -4.3A 50mOhm 10nC Log Lvl220755
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IRLML6401TRPBF
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IRLML6401TRPBF
库存编号:63J7615		 Infineon Technologies AG Power MOSFET, P Channel, 12 V, 4.3 A, 50 Milliohms, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 63J7615)0
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1-2周询价 询价
IRLML6401TRPBF
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  日本2号仓库+5    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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(工作日)		 操作
IRLML6401TRPBF
库存编号:87768320		Infineon Technologies AGTrans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R225000
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IRLML6401TRPBF
库存编号:69263784		Infineon Technologies AGTrans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R205559
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  新加坡3号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
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IRLML6401TRPBF
库存编号:1463267RL		 Infineon Technologies AG , MOSFET, P -12V -4.3A187872
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IRLML6401TRPBF
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IRLML6401TRPBF
库存编号:1562521		 Infineon Technologies AG , MOSFET, P, 3K0
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￥4453.26
￥3896.63
1-2周询价 询价
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  英国7号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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(工作日)		 操作
IRLML6401TRPBF
库存编号:IRLML6401TRPBF		 Infineon Technologies AG Transistor: P-MOSFET, unipolar, -12V, -4.3A, 1.3W, SOT23963
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  英国8号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRLML6401TRPBF Infineon Technologies AG 4.3 A, 12 V, 0.05 OHM, P-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET14513
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IRLML6401TRPBF International Rectifier 4.3 A, 12 V, 0.05 OHM, P-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET522
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IRLML6401TRPBF Infineon Technologies AG 4.3 A, 12 V, 0.05 OHM, P-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET512
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IRLML6401TRPBF Infineon Technologies AG 4.3 A, 12 V, 0.05 OHM, P-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET108
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53+
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IRLML6401TRPBF
库存编号:9194713		 Infineon Technologies AG MOSFET P-Channel 12V 4.3A SOT23, RL251575
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IRLML6401TRPBF产品详细信息

P 通道功率 MOSFET 12V 到 20V，Infineon

Infineon 分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRLML6401TRPBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3.04mm  
  尺寸  3.04 x 1.4 x 1.02mm  
  典型关断延迟时间  250 ns  
  典型接通延迟时间  11 ns  
  典型输入电容值@Vds  830 pF @ 10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  10 nC @ 5 V  
  封装类型  微型  
  高度  1.02mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  1.3 W  
  最大连续漏极电流  4.3 A  
  最大漏源电压  12 V  
  最大漏源电阻值  50 mΩ  
  最大栅阈值电压  0.95V  
  最大栅源电压  ±8 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.4V  
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安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3.04mm  Infineon 长度 3.04mm  MOSFET 晶体管 长度 3.04mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 3.04mm   尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm  Infineon 尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm  MOSFET 晶体管 尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm   典型关断延迟时间 250 ns  Infineon 典型关断延迟时间 250 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 250 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 250 ns   典型接通延迟时间 11 ns  Infineon 典型接通延迟时间 11 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 11 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 11 ns   典型输入电容值@Vds 830 pF @ 10 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 830 pF @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 830 pF @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 830 pF @ 10 V   典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 5 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 5 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 5 V   封装类型 微型  Infineon 封装类型 微型  MOSFET 晶体管 封装类型 微型  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 微型   高度 1.02mm  Infineon 高度 1.02mm  MOSFET 晶体管 高度 1.02mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 1.02mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.4mm  Infineon 宽度 1.4mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  Infineon 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 HEXFET  Infineon 系列 HEXFET  MOSFET 晶体管 系列 HEXFET  Infineon MOSFET 晶体管 系列 HEXFET   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 1.3 W  Infineon 最大功率耗散 1.3 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.3 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.3 W   最大连续漏极电流 4.3 A  Infineon 最大连续漏极电流 4.3 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 4.3 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 4.3 A   最大漏源电压 12 V  Infineon 最大漏源电压 12 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 12 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 12 V   最大漏源电阻值 50 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 50 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 50 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 50 mΩ   最大栅阈值电压 0.95V  Infineon 最大栅阈值电压 0.95V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 0.95V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 0.95V   最大栅源电压 ±8 V  Infineon 最大栅源电压 ±8 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 0.4V  Infineon 最小栅阈值电压 0.4V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.4V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.4V  
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MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23

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MOSFET MOSFT P-Ch -4.3A 50mOhm 10nC Log Lvl

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Trans MOSFET P-CH 12V 4.3A 3-Pin Micro T/R (Alt: IRLML6401TRPBF)

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Trans MOSFET P-CH 12V 4.3A 3-Pin Micro T/R - Tape and Reel (Alt: IRLML6401TRPBF)

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Trans MOSFET P-CH 12V 4.3A 3-Pin Micro T/R - Cut TR (SOS) (Alt: IRLML6401TRPBF/BKN)

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Trans MOSFET P-CH 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: IRLML6401TRPBF-1)

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MOSFET, P, MICRO3

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MOSFET, Power, P-Ch, VDSS -12V, RDS(ON) 0.05Ohm, ID -4.3A, Micro3, PD 1.3W, VGS +/-8V

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4.3 A, 12 V, 0.05 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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International Rectifier		MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
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Infineon Technologies - IRLML6401TRPBF - MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23		Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.3A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23

型号：IRLML6401TRPBF
仓库库存编号：IRLML6401PBFCT-ND
别名：*IRLML6401TRPBF <br>IRLML6401PBFCT <br>

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International Rectifier - IRLML6401TRPBF - VGS +/-8V PD 1.3W Micro3 ID -4.3A RDS(ON) 0.05Ohm VDSS -12V P-Ch MOSFET, Power|70017403 | ChuangWei Electronics		International Rectifier
MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -12V; RDS(ON) 0.05Ohm; ID -4.3A; Micro3; PD 1.3W; VGS +/-8V

型号：IRLML6401TRPBF
仓库库存编号：70017403

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IRLML6401TRPBF
INFINEON IRLML6401TRPBF		1463267

INFINEON

晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -12 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -550 mV

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INFINEON IRLML6401TRPBF		1463267RL

INFINEON

晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -12 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -550 mV

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Infineon - IRLML6401TRPBF - Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML6401TRPBF, 4.3 A, Vds=12 V, 3引脚 微型封装
制造商零件编号：
IRLML6401TRPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
301-316
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Infineon - IRLML6401TRPBF - Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML6401TRPBF, 4.3 A, Vds=12 V, 3引脚 微型封装
制造商零件编号：
IRLML6401TRPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
919-4713
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRLML6401TRPBF产品技术参数资料

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