IRFP150PBF,919-4315,Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP150PBF, 41 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装 ,Vishay
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
MOSFET 晶体管
>
IRFP150PBF
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP150PBF, 41 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
制造商零件编号:
IRFP150PBF
制造商:
Vishay
Vishay
库存编号:
919-4315
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRFP150PBF产品详细信息
N 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor
IRFP150PBF产品技术参数
安装类型
通孔
长度
15.87mm
尺寸
15.87 x 5.31 x 20.82mm
典型关断延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
16 ns
典型输入电容值@Vds
2800 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs
140 nC @ 10 V
封装类型
TO-247AC
高度
20.82mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
5.31mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
3
最大功率耗散
230 W
最大连续漏极电流
41 A
最大漏源电压
100 V
最大漏源电阻值
55 mΩ
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+175 °C
最小栅阈值电压
2V
关键词
IRFP150PBF相关搜索
安装类型 通孔
Vishay 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 15.87mm
Vishay 长度 15.87mm
MOSFET 晶体管 长度 15.87mm
Vishay MOSFET 晶体管 长度 15.87mm
尺寸 15.87 x 5.31 x 20.82mm
Vishay 尺寸 15.87 x 5.31 x 20.82mm
MOSFET 晶体管 尺寸 15.87 x 5.31 x 20.82mm
Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 15.87 x 5.31 x 20.82mm
典型关断延迟时间 60 ns
Vishay 典型关断延迟时间 60 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 60 ns
Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 16 ns
Vishay 典型接通延迟时间 16 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 16 ns
Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 16 ns
典型输入电容值@Vds 2800 pF @ 25 V
Vishay 典型输入电容值@Vds 2800 pF @ 25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2800 pF @ 25 V
Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2800 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs 140 nC @ 10 V
Vishay 典型栅极电荷@Vgs 140 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 140 nC @ 10 V
Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 140 nC @ 10 V
封装类型 TO-247AC
Vishay 封装类型 TO-247AC
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247AC
Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247AC
高度 20.82mm
Vishay 高度 20.82mm
MOSFET 晶体管 高度 20.82mm
Vishay MOSFET 晶体管 高度 20.82mm
晶体管材料 Si
Vishay 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Vishay 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 5.31mm
Vishay 宽度 5.31mm
MOSFET 晶体管 宽度 5.31mm
Vishay MOSFET 晶体管 宽度 5.31mm
类别 功率 MOSFET
Vishay 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Vishay MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Vishay 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Vishay 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Vishay 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 3
Vishay 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 230 W
Vishay 最大功率耗散 230 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 230 W
Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 230 W
最大连续漏极电流 41 A
Vishay 最大连续漏极电流 41 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 41 A
Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 41 A
最大漏源电压 100 V
Vishay 最大漏源电压 100 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V
Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V
最大漏源电阻值 55 mΩ
Vishay 最大漏源电阻值 55 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 55 mΩ
Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 55 mΩ
最大栅源电压 ±20 V
Vishay 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
最低工作温度 -55 °C
Vishay 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +175 °C
Vishay 最高工作温度 +175 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C
Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C
最小栅阈值电压 2V
Vishay 最小栅阈值电压 2V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V
Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
IRFP150PBF产品技术参数资料
Datasheet
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号