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安装类型	表面贴装
长度	3.1mm
尺寸	3.1 x 1.7 x 1mm
典型关断延迟时间	14 ns
典型接通延迟时间	10 ns
典型栅极电荷@Vgs	2.1 nC @ 4.5 V
封装类型	TSOP
高度	1mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	隔离式
宽度	1.7mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	2
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	6
最大功率耗散	830 mW
最大连续漏极电流	2 A
最大漏源电压	20 V
最大漏源电阻值	200 mΩ
最大栅源电压	±12 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	0.6V
关键词

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