SI3900DV-T1-GE3,919-4277,Vishay 双 N沟道 Si MOSFET SI3900DV-T1-GE3, 2 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装 ,Vishay
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Vishay 双 N沟道 Si MOSFET SI3900DV-T1-GE3, 2 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装

制造商零件编号:
SI3900DV-T1-GE3
制造商:
Vishay Vishay
库存编号:
919-4277
Vishay SI3900DV-T1-GE3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

SI3900DV-T1-GE3产品详细信息

双 N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor

SI3900DV-T1-GE3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3.1mm  
  尺寸  3.1 x 1.7 x 1mm  
  典型关断延迟时间  14 ns  
  典型接通延迟时间  10 ns  
  典型栅极电荷@Vgs  2.1 nC @ 4.5 V  
  封装类型  TSOP  
  高度  1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  隔离式  
  宽度  1.7mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  830 mW  
  最大连续漏极电流  2 A  
  最大漏源电压  20 V  
  最大漏源电阻值  200 mΩ  
  最大栅源电压  ±12 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.6V  
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