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安装类型	表面贴装
长度	3.1mm
尺寸	3.1 x 1.7 x 1mm
封装类型	TSOP
高度	1mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	N+P 负载开关
宽度	1.7mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	2
通道类型	N，P
通道模式	增强
引脚数目	6
最大功率耗散	830 mW
最大连续漏极电流	2.8 A
最大漏源电压	12 V
最大漏源电阻值	165 mΩ
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

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