SI1029X-T1-GE3,919-4211,Vishay 双 Si N/P沟道 MOSFET SI1029X-T1-GE3, 190 mA,300 mA, Vds=60 V, 6引脚 SC-89封装 ,Vishay
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SI1029X-T1-GE3
Vishay 双 Si N/P沟道 MOSFET SI1029X-T1-GE3, 190 mA,300 mA, Vds=60 V, 6引脚 SC-89封装
制造商零件编号:
SI1029X-T1-GE3
制造商:
Vishay
Vishay
库存编号:
919-4211
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SI1029X-T1-GE3产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
1.7mm
尺寸
1.7 x 1.7 x 0.6mm
典型关断延迟时间
20 ns,35 ns
典型接通延迟时间
15 (N) ns,20 (P) ns
典型输入电容值@Vds
23 pF @ -25 V,30 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs
1700 nC @ 15 V,750 nC @ 4.5 V
封装类型
SC-89
高度
0.6mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
隔离式
宽度
1.7mm
每片芯片元件数目
2
通道类型
N,P
通道模式
增强
引脚数目
6
最大功率耗散
250 mW
最大连续漏极电流
190 mA,300 mA
最大漏源电压
60 V
最大漏源电阻值
3 Ω,8 Ω
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
1V
关键词
SI1029X-T1-GE3相关搜索
安装类型 表面贴装
Vishay 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 1.7mm
Vishay 长度 1.7mm
MOSFET 晶体管 长度 1.7mm
Vishay MOSFET 晶体管 长度 1.7mm
尺寸 1.7 x 1.7 x 0.6mm
Vishay 尺寸 1.7 x 1.7 x 0.6mm
MOSFET 晶体管 尺寸 1.7 x 1.7 x 0.6mm
Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 1.7 x 1.7 x 0.6mm
典型关断延迟时间 20 ns,35 ns
Vishay 典型关断延迟时间 20 ns,35 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 20 ns,35 ns
Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 20 ns,35 ns
典型接通延迟时间 15 (N) ns,20 (P) ns
Vishay 典型接通延迟时间 15 (N) ns,20 (P) ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 15 (N) ns,20 (P) ns
Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 15 (N) ns,20 (P) ns
典型输入电容值@Vds 23 pF @ -25 V,30 pF @ 25 V
Vishay 典型输入电容值@Vds 23 pF @ -25 V,30 pF @ 25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 23 pF @ -25 V,30 pF @ 25 V
Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 23 pF @ -25 V,30 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs 1700 nC @ 15 V,750 nC @ 4.5 V
Vishay 典型栅极电荷@Vgs 1700 nC @ 15 V,750 nC @ 4.5 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 1700 nC @ 15 V,750 nC @ 4.5 V
Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 1700 nC @ 15 V,750 nC @ 4.5 V
封装类型 SC-89
Vishay 封装类型 SC-89
MOSFET 晶体管 封装类型 SC-89
Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 SC-89
高度 0.6mm
Vishay 高度 0.6mm
MOSFET 晶体管 高度 0.6mm
Vishay MOSFET 晶体管 高度 0.6mm
晶体管材料 Si
Vishay 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 隔离式
Vishay 晶体管配置 隔离式
MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式
Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式
宽度 1.7mm
Vishay 宽度 1.7mm
MOSFET 晶体管 宽度 1.7mm
Vishay MOSFET 晶体管 宽度 1.7mm
每片芯片元件数目 2
Vishay 每片芯片元件数目 2
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2
Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2
通道类型 N,P
Vishay 通道类型 N,P
MOSFET 晶体管 通道类型 N,P
Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 N,P
通道模式 增强
Vishay 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 6
Vishay 引脚数目 6
MOSFET 晶体管 引脚数目 6
Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 6
最大功率耗散 250 mW
Vishay 最大功率耗散 250 mW
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 250 mW
Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 250 mW
最大连续漏极电流 190 mA,300 mA
Vishay 最大连续漏极电流 190 mA,300 mA
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 190 mA,300 mA
Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 190 mA,300 mA
最大漏源电压 60 V
Vishay 最大漏源电压 60 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V
Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V
最大漏源电阻值 3 Ω,8 Ω
Vishay 最大漏源电阻值 3 Ω,8 Ω
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 3 Ω,8 Ω
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最大栅源电压 ±20 V
Vishay 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
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最低工作温度 -55 °C
Vishay 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
Vishay 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小栅阈值电压 1V
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MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V
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