SI1029X-T1-GE3,919-4211,Vishay 双 Si N/P沟道 MOSFET SI1029X-T1-GE3, 190 mA,300 mA, Vds=60 V, 6引脚 SC-89封装 ,Vishay
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Vishay 双 Si N/P沟道 MOSFET SI1029X-T1-GE3, 190 mA,300 mA, Vds=60 V, 6引脚 SC-89封装

制造商零件编号:
SI1029X-T1-GE3
制造商:
Vishay Vishay
库存编号:
919-4211
Vishay SI1029X-T1-GE3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

SI1029X-T1-GE3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  1.7mm  
  尺寸  1.7 x 1.7 x 0.6mm  
  典型关断延迟时间  20 ns,35 ns  
  典型接通延迟时间  15 (N) ns,20 (P) ns  
  典型输入电容值@Vds  23 pF @ -25 V,30 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  1700 nC @ 15 V,750 nC @ 4.5 V  
  封装类型  SC-89  
  高度  0.6mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  隔离式  
  宽度  1.7mm  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N,P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  250 mW  
  最大连续漏极电流  190 mA,300 mA  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  3 Ω,8 Ω  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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SI1029X-T1-GE3相关搜索

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