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安装类型	表面贴装
长度	2.92mm
尺寸	2.92 x 1.4 x 0.94mm
典型关断延迟时间	53 ns
典型接通延迟时间	8 ns
典型输入电容值@Vds	280 pF @ -10 V
典型栅极电荷@Vgs	3.4 nC @ 5 V
封装类型	SOT-23
高度	0.94mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	1.4mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
引脚数目	3
正向二极管电压	1.2V
正向跨导	2S
最大功率耗散	500 mW
最大连续漏极电流	1.1 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	400 mΩ
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2.92mm  Fairchild Semiconductor 长度 2.92mm  MOSFET 晶体管 长度 2.92mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 2.92mm   尺寸 2.92 x 1.4 x 0.94mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 2.92 x 1.4 x 0.94mm  MOSFET 晶体管 尺寸 2.92 x 1.4 x 0.94mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 2.92 x 1.4 x 0.94mm   典型关断延迟时间 53 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 53 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 53 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 53 ns   典型接通延迟时间 8 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 8 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8 ns   典型输入电容值@Vds 280 pF @ -10 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 280 pF @ -10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 280 pF @ -10 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 280 pF @ -10 V   典型栅极电荷@Vgs 3.4 nC @ 5 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 3.4 nC @ 5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 3.4 nC @ 5 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 3.4 nC @ 5 V   封装类型 SOT-23  Fairchild Semiconductor 封装类型 SOT-23  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23   高度 0.94mm  Fairchild Semiconductor 高度 0.94mm  MOSFET 晶体管 高度 0.94mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 0.94mm   晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.4mm  Fairchild Semiconductor 宽度 1.4mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm   类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  Fairchild Semiconductor 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3   正向二极管电压 1.2V  Fairchild Semiconductor 正向二极管电压 1.2V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V   正向跨导 2S  Fairchild Semiconductor 正向跨导 2S  MOSFET 晶体管 正向跨导 2S  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 正向跨导 2S   最大功率耗散 500 mW  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 500 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 500 mW  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 500 mW   最大连续漏极电流 1.1 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 1.1 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.1 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.1 A   最大漏源电压 30 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 400 mΩ  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 400 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 400 mΩ  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 400 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• NDS356AP, P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor