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安装类型	表面贴装
长度	5mm
尺寸	5 x 4 x 1.5mm
典型关断延迟时间	350 ns
典型接通延迟时间	70 ns
典型栅极电荷@Vgs	5 nC @ 5 V
封装类型	SOIC
高度	1.5mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	隔离式
宽度	4mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	2
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	8
正向二极管电压	0.8V
正向跨导	2S
最大功率耗散	4 W
最大连续漏极电流	3.5 A
最大漏源电压	40 V
最大漏源电阻值	0.5 Ω
最大栅阈值电压	2.5V
最大栅源电压	-0.3（夹）V，8 V
最小栅阈值电压	0.5V
关键词

安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 5mm  STMicroelectronics 长度 5mm  MOSFET 晶体管 长度 5mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 5mm   尺寸 5 x 4 x 1.5mm  STMicroelectronics 尺寸 5 x 4 x 1.5mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4 x 1.5mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4 x 1.5mm   典型关断延迟时间 350 ns  STMicroelectronics 典型关断延迟时间 350 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 350 ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 350 ns   典型接通延迟时间 70 ns  STMicroelectronics 典型接通延迟时间 70 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 70 ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 70 ns   典型栅极电荷@Vgs 5 nC @ 5 V  STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 5 nC @ 5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 5 nC @ 5 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 5 nC @ 5 V   封装类型 SOIC  STMicroelectronics 封装类型 SOIC  MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC   高度 1.5mm  STMicroelectronics 高度 1.5mm  MOSFET 晶体管 高度 1.5mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 1.5mm   晶体管材料 Si  STMicroelectronics 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 隔离式  STMicroelectronics 晶体管配置 隔离式  MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式   宽度 4mm  STMicroelectronics 宽度 4mm  MOSFET 晶体管 宽度 4mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 4mm   类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 2  STMicroelectronics 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 N  STMicroelectronics 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  STMicroelectronics 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 8  STMicroelectronics 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 引脚数目 8   正向二极管电压 0.8V  STMicroelectronics 正向二极管电压 0.8V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 0.8V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 正向二极管电压 0.8V   正向跨导 2S  STMicroelectronics 正向跨导 2S  MOSFET 晶体管 正向跨导 2S  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 正向跨导 2S   最大功率耗散 4 W  STMicroelectronics 最大功率耗散 4 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 4 W  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大功率耗散 4 W   最大连续漏极电流 3.5 A  STMicroelectronics 最大连续漏极电流 3.5 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3.5 A  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3.5 A   最大漏源电压 40 V  STMicroelectronics 最大漏源电压 40 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V   最大漏源电阻值 0.5 Ω  STMicroelectronics 最大漏源电阻值 0.5 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.5 Ω  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.5 Ω   最大栅阈值电压 2.5V  STMicroelectronics 最大栅阈值电压 2.5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.5V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.5V   最大栅源电压 -0.3（夹）V，8 V  STMicroelectronics 最大栅源电压 -0.3（夹）V，8 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 -0.3（夹）V，8 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅源电压 -0.3（夹）V，8 V   最小栅阈值电压 0.5V  STMicroelectronics 最小栅阈值电压 0.5V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.5V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.5V  

• VNS1NV04DP-E, OMNIFET II Fully Auto-Protected Power MOSFET