PD84001,917-2738,STMicroelectronics Si N沟道 MOSFET PD84001, 1.5 A, Vds=18 V, 3引脚 SOT-89封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics Si N沟道 MOSFET PD84001, 1.5 A, Vds=18 V, 3引脚 SOT-89封装

制造商零件编号:
PD84001
库存编号:
917-2738
STMicroelectronics PD84001
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

PD84001产品详细信息

射频 MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

射频晶体管为 LDMOS,适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。

PD84001产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  4.6mm  
  尺寸  4.6 x 2.6 x 1.6mm  
  封装类型  SOT-89  
  高度  1.6mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  2.6mm  
  类别  射频 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  6 W  
  最大连续漏极电流  1.5 A  
  最大漏源电压  18 V  
  最大栅源电压  -0.5 → +15 V  
  最高工作温度  +150 °C  
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