IXFH22N65X2,917-1460,IXYS HiperFET, X2-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH22N65X2, 22 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装 ,IXYS
与功率 MOSFET 早期系列相比，IXYS X2 经典 HiPerFET 功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷，从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含增强型高速本征二极管，且适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装，包括隔离类型，具有高达 120A（650V 时）额定值。 典型应用包括：直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。
极低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷）
快速本质整流器二极管
低本质栅极电阻
低封装电感
工业标准封装
