2N7008-G,916-3721,Microchip Si N沟道 MOSFET 2N7008-G, 230 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装 ,Microchip
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Microchip Si N沟道 MOSFET 2N7008-G, 230 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装

制造商零件编号:
2N7008-G
库存编号:
916-3721
Microchip 2N7008-G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

2N7008-G产品详细信息

2N7008 N 通道 MOSFET 晶体管

Microchip 2N7008 是增强模式(常闭)晶体管,利用垂直 DMOS 结构。 该设计将 Bipolar 晶体管的功率处理能力与高输入阻抗和正温度系数 MOS 设备相结合。

特点

无次级击穿
低电源驱动要求
易于执行并联操作
低 CISS 和快速切换速度
极好的热稳定性
一体式电源漏极二极管
高输入阻抗和高增益

2N7008-G产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  5.08mm  
  尺寸  5.08 x 4.06 x 5.33mm  
  典型关断延迟时间  20 ns  
  典型接通延迟时间  20 ns  
  典型输入电容值@Vds  50 pF @ 25 V  
  封装类型  TO-92  
  高度  5.33mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.06mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  正向二极管电压  1.5V  
  最大功率耗散  1 W  
  最大连续漏极电流  230 mA  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  7.5 Ω  
  最大栅阈值电压  2.5V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

2N7008-G产品技术参数资料

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