C3M0120090D,915-8849,Wolfspeed N沟道 SiC MOSFET C3M0120090D, 23 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装 ,Wolfspeed
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Wolfspeed N沟道 SiC MOSFET C3M0120090D, 23 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装

制造商零件编号:
C3M0120090D
库存编号:
915-8849
Wolfspeed C3M0120090D
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

C3M0120090D产品详细信息

Wolfspeed 碳化硅功率 MOSFET

Wolfspeed Z-Fet?、C2M? 和 C3M? 碳化硅功率 MOSFET。 Cree 功率分部 Wolfspeed 的一系列二代 SiC MOSFET,可提供行业领先的功率密度和切换效率。 这些低电容设备允许更高的切换频率,并降低了冷却要求,以提高整体系统工作效率。

• 增强模式 N 通道 SiC 技术
• 高漏-源击穿电压 - 高达 1200V
• 多个设备易于并行且易于驱动
• 高速切换,具有低接通电阻
• 防闩锁操作

C3M0120090D产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  16.13mm  
  尺寸  16.13 x 21.1 x 5.21mm  
  典型关断延迟时间  25 ns  
  典型接通延迟时间  27 ns  
  典型输入电容值@Vds  350 pF @ 600 V  
  典型栅极电荷@Vgs  17.3 nC @ 15 V  
  封装类型  TO-247  
  高度  5.21mm  
  晶体管材料  SiC  
  晶体管配置  单  
  宽度  21.1mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  正向二极管电压  4.8V  
  正向跨导  7.7S  
  最大功率耗散  97 W  
  最大连续漏极电流  23 A  
  最大漏源电压  900 V  
  最大漏源电阻值  0.155 Ω  
  最大栅阈值电压  3.5V  
  最大栅源电压  -8 V,18 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1.8V  
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C3M0120090D产品技术参数资料

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