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安装类型	通孔
长度	16.13mm
尺寸	16.13 x 5.21 x 21.1mm
典型关断延迟时间	54 ns
典型接通延迟时间	9.5 ns
典型输入电容值@Vds	1137 pF @ 100 V
典型栅极电荷@Vgs	47.2 nC @ 10 V
封装类型	TO-247
高度	21.1mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	5.21mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	CoolMOS CE
引脚数目	3
正向二极管电压	0.85V
最大功率耗散	127 W
最大连续漏极电流	18.5A
最大漏源电压	550 V
最大漏源电阻值	190 mΩ
最大栅阈值电压	3.5V
最大栅源电压	±30 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	2.5V
关键词

安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 16.13mm  Infineon 长度 16.13mm  MOSFET 晶体管 长度 16.13mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 16.13mm   尺寸 16.13 x 5.21 x 21.1mm  Infineon 尺寸 16.13 x 5.21 x 21.1mm  MOSFET 晶体管 尺寸 16.13 x 5.21 x 21.1mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 16.13 x 5.21 x 21.1mm   典型关断延迟时间 54 ns  Infineon 典型关断延迟时间 54 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 54 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 54 ns   典型接通延迟时间 9.5 ns  Infineon 典型接通延迟时间 9.5 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9.5 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9.5 ns   典型输入电容值@Vds 1137 pF @ 100 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 1137 pF @ 100 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1137 pF @ 100 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1137 pF @ 100 V   典型栅极电荷@Vgs 47.2 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 47.2 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 47.2 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 47.2 nC @ 10 V   封装类型 TO-247  Infineon 封装类型 TO-247  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247   高度 21.1mm  Infineon 高度 21.1mm  MOSFET 晶体管 高度 21.1mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 21.1mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 5.21mm  Infineon 宽度 5.21mm  MOSFET 晶体管 宽度 5.21mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 5.21mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 CoolMOS CE  Infineon 系列 CoolMOS CE  MOSFET 晶体管 系列 CoolMOS CE  Infineon MOSFET 晶体管 系列 CoolMOS CE   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   正向二极管电压 0.85V  Infineon 正向二极管电压 0.85V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 0.85V  Infineon MOSFET 晶体管 正向二极管电压 0.85V   最大功率耗散 127 W  Infineon 最大功率耗散 127 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 127 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 127 W   最大连续漏极电流 18.5A  Infineon 最大连续漏极电流 18.5A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 18.5A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 18.5A   最大漏源电压 550 V  Infineon 最大漏源电压 550 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 550 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 550 V   最大漏源电阻值 190 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 190 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 190 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 190 mΩ   最大栅阈值电压 3.5V  Infineon 最大栅阈值电压 3.5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.5V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.5V   最大栅源电压 ±30 V  Infineon 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 2.5V  Infineon 最小栅阈值电压 2.5V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.5V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.5V  

• IPW50R190CE MOSFET CoolMOS CE