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安装类型	通孔
长度	10.36mm
尺寸	10.36 x 4.57 x 15.95mm
典型关断延迟时间	56 ns
典型接通延迟时间	24 ns
典型输入电容值@Vds	4026 pF @ -25 V
典型栅极电荷@Vgs	115 nC @ 10 V
封装类型	TO-220
高度	15.95mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	4.57mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
系列	SIPMOS
引脚数目	3
正向二极管电压	1.6V
正向跨导	36S
最大功率耗散	340 W
最大连续漏极电流	80 A
最大漏源电压	60 V
最大漏源电阻值	23 mΩ
最大栅阈值电压	4V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	2.1V
关键词

安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.36mm  Infineon 长度 10.36mm  MOSFET 晶体管 长度 10.36mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 10.36mm   尺寸 10.36 x 4.57 x 15.95mm  Infineon 尺寸 10.36 x 4.57 x 15.95mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.36 x 4.57 x 15.95mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 10.36 x 4.57 x 15.95mm   典型关断延迟时间 56 ns  Infineon 典型关断延迟时间 56 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 56 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 56 ns   典型接通延迟时间 24 ns  Infineon 典型接通延迟时间 24 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 24 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 24 ns   典型输入电容值@Vds 4026 pF @ -25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 4026 pF @ -25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4026 pF @ -25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4026 pF @ -25 V   典型栅极电荷@Vgs 115 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 115 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 115 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 115 nC @ 10 V   封装类型 TO-220  Infineon 封装类型 TO-220  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220   高度 15.95mm  Infineon 高度 15.95mm  MOSFET 晶体管 高度 15.95mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 15.95mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.57mm  Infineon 宽度 4.57mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.57mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 4.57mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  Infineon 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 SIPMOS  Infineon 系列 SIPMOS  MOSFET 晶体管 系列 SIPMOS  Infineon MOSFET 晶体管 系列 SIPMOS   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   正向二极管电压 1.6V  Infineon 正向二极管电压 1.6V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.6V  Infineon MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.6V   正向跨导 36S  Infineon 正向跨导 36S  MOSFET 晶体管 正向跨导 36S  Infineon MOSFET 晶体管 正向跨导 36S   最大功率耗散 340 W  Infineon 最大功率耗散 340 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 340 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 340 W   最大连续漏极电流 80 A  Infineon 最大连续漏极电流 80 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 80 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 80 A   最大漏源电压 60 V  Infineon 最大漏源电压 60 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V   最大漏源电阻值 23 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 23 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 23 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 23 mΩ   最大栅阈值电压 4V  Infineon 最大栅阈值电压 4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 2.1V  Infineon 最小栅阈值电压 2.1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.1V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.1V  

• SPP80P06P H SIPMOS Power Transistor