关于我们 | 付款方式 | 联系我们

库存查询

安装类型	通孔
长度	10.54mm
尺寸	10.54 x 4.69 x 15.24mm
典型关断延迟时间	61 ns
典型接通延迟时间	15 ns
典型输入电容值@Vds	3830 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	81 nC
封装类型	TO-220AB
高度	15.24mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	4.69mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	HEXFET
引脚数目	3
最大功率耗散	260 W
最大连续漏极电流	80 A
最大漏源电压	100 V
最大漏源电阻值	15 mΩ
最大栅阈值电压	2V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	0.6V
关键词

安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.54mm  Infineon 长度 10.54mm  MOSFET 晶体管 长度 10.54mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 10.54mm   尺寸 10.54 x 4.69 x 15.24mm  Infineon 尺寸 10.54 x 4.69 x 15.24mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.54 x 4.69 x 15.24mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 10.54 x 4.69 x 15.24mm   典型关断延迟时间 61 ns  Infineon 典型关断延迟时间 61 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 61 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 61 ns   典型接通延迟时间 15 ns  Infineon 典型接通延迟时间 15 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 15 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 15 ns   典型输入电容值@Vds 3830 pF @ 25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 3830 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3830 pF @ 25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3830 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 81 nC  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 81 nC  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 81 nC  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 81 nC   封装类型 TO-220AB  Infineon 封装类型 TO-220AB  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB   高度 15.24mm  Infineon 高度 15.24mm  MOSFET 晶体管 高度 15.24mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 15.24mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.69mm  Infineon 宽度 4.69mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.69mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 4.69mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 HEXFET  Infineon 系列 HEXFET  MOSFET 晶体管 系列 HEXFET  Infineon MOSFET 晶体管 系列 HEXFET   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 260 W  Infineon 最大功率耗散 260 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 260 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 260 W   最大连续漏极电流 80 A  Infineon 最大连续漏极电流 80 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 80 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 80 A   最大漏源电压 100 V  Infineon 最大漏源电压 100 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V   最大漏源电阻值 15 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 15 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 15 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 15 mΩ   最大栅阈值电压 2V  Infineon 最大栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 0.6V  Infineon 最小栅阈值电压 0.6V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.6V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.6V  

• Datasheet