LND01K1-G,912-5259,Microchip N沟道 Si MOSFET LND01K1-G, 330 mA, Vds=9 V, 5引脚 SOT-23封装 ,Microchip
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Microchip N沟道 Si MOSFET LND01K1-G, 330 mA, Vds=9 V, 5引脚 SOT-23封装

制造商零件编号：
LND01K1-G
库存编号：
912-5259
Microchip LND01K1-G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

LND01K1-G产品详细信息

LND01 N 通道 MOSFET 晶体管

Microchip LND01 为低阈值、消耗模式（常开）MOSFET 晶体管。 该设计将 Bipolar 晶体管的功率处理能力与高输入阻抗和正温度系数 MOS 设备相结合。

特点

双向
低接通电阻
低输入电容
切换速度快
高输入阻抗和高增益
低电源驱动要求
易于执行并联操作

LND01K1-G产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3.05mm  
  尺寸  3.05 x 1.75 x 1.3mm  
  典型关断延迟时间  1 ns  
  典型接通延迟时间  3.8 ns  
  典型输入电容值@Vds  46 pF  
  封装类型  SOT-23  
  高度  1.3mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.75mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  消耗  
  引脚数目  5  
  最大功率耗散  360 mW  
  最大连续漏极电流  330 mA  
  最大漏源电压  9 V  
  最大漏源电阻值  1.4 Ω  
  最大栅源电压  0.6 V  
  最低工作温度  -25 °C  
  最高工作温度  +125 °C  
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电话:400-900-3095
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LND01K1-G产品技术参数资料

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