CSD17577Q5AT,908-3837,Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17577Q5AT, 22 A, Vds=30 V, 8引脚 VSCONP封装 ,Texas Instruments
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CSD17577Q5AT
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17577Q5AT, 22 A, Vds=30 V, 8引脚 VSCONP封装
制造商零件编号:
CSD17577Q5AT
制造商:
Texas Instruments
Texas Instruments
库存编号:
908-3837
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
CSD17577Q5AT产品详细信息
N 通道 NexFET? 功率 MOSFET,Texas Instruments
CSD17577Q5AT产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
5.8mm
尺寸
5.8 x 5 x 0.76mm
典型关断延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
3 ns
典型输入电容值@Vds
1780 pF @ 15 V
典型栅极电荷@Vgs
13 nC @ 4.5 V
封装类型
VSCONP
高度
0.76mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
5mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
NexFET
引脚数目
8
正向二极管电压
1V
正向跨导
79S
最大功率耗散
3 W
最大连续漏极电流
22 A
最大漏源电压
30 V
最大漏源电阻值
0.0058 Ω
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+85 °C
关键词
CSD17577Q5AT相关搜索
安装类型 表面贴装
Texas Instruments 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
Texas Instruments MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 5.8mm
Texas Instruments 长度 5.8mm
MOSFET 晶体管 长度 5.8mm
Texas Instruments MOSFET 晶体管 长度 5.8mm
尺寸 5.8 x 5 x 0.76mm
Texas Instruments 尺寸 5.8 x 5 x 0.76mm
MOSFET 晶体管 尺寸 5.8 x 5 x 0.76mm
Texas Instruments MOSFET 晶体管 尺寸 5.8 x 5 x 0.76mm
典型关断延迟时间 18 ns
Texas Instruments 典型关断延迟时间 18 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 18 ns
Texas Instruments MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 3 ns
Texas Instruments 典型接通延迟时间 3 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 3 ns
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典型输入电容值@Vds 1780 pF @ 15 V
Texas Instruments 典型输入电容值@Vds 1780 pF @ 15 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1780 pF @ 15 V
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典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 4.5 V
Texas Instruments 典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 4.5 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 4.5 V
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封装类型 VSCONP
Texas Instruments 封装类型 VSCONP
MOSFET 晶体管 封装类型 VSCONP
Texas Instruments MOSFET 晶体管 封装类型 VSCONP
高度 0.76mm
Texas Instruments 高度 0.76mm
MOSFET 晶体管 高度 0.76mm
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晶体管材料 Si
Texas Instruments 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Texas Instruments MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Texas Instruments 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
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宽度 5mm
Texas Instruments 宽度 5mm
MOSFET 晶体管 宽度 5mm
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类别 功率 MOSFET
Texas Instruments 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
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每片芯片元件数目 1
Texas Instruments 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
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通道类型 N
Texas Instruments 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
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通道模式 增强
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MOSFET 晶体管 通道模式 增强
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系列 NexFET
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MOSFET 晶体管 系列 NexFET
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引脚数目 8
Texas Instruments 引脚数目 8
MOSFET 晶体管 引脚数目 8
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正向二极管电压 1V
Texas Instruments 正向二极管电压 1V
MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1V
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正向跨导 79S
Texas Instruments 正向跨导 79S
MOSFET 晶体管 正向跨导 79S
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最大功率耗散 3 W
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MOSFET 晶体管 最大功率耗散 3 W
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最大连续漏极电流 22 A
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最大漏源电阻值 0.0058 Ω
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