IRF9393PBF,907-5117,Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9393PBF, 7.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9393PBF, 7.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号：
IRF9393PBF
库存编号：
907-5117
Infineon IRF9393PBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IRF9393PBF产品详细信息

N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon

Infineon 系列分离式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRF9393PBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 4 x 1.5mm  
  典型关断延迟时间  55 ns  
  典型接通延迟时间  16 ns  
  典型输入电容值@Vds  1100 pF @ -25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  14 nC @ 15 V  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.5mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  8  
  正向二极管电压  1.2V  
  正向跨导  13S  
  最大功率耗散  2.5 W  
  最大连续漏极电流  7.3 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  0.0325 Ω  
  最大栅源电压  ±25 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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IRF9393PBF产品技术参数资料

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