IRFI7536GPBF,907-5050,Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI7536GPBF, 86 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI7536GPBF, 86 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装

制造商零件编号：
IRFI7536GPBF
库存编号：
907-5050
Infineon IRFI7536GPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IRFI7536GPBF产品详细信息

N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V，Infineon

Infineon 系列分离式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRFI7536GPBF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.63mm  
  尺寸  10.63 x 4.83 x 9.8mm  
  典型关断延迟时间  55 ns  
  典型接通延迟时间  22 ns  
  典型输入电容值@Vds  6600 pF @ 48 V  
  典型栅极电荷@Vgs  130 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220FP  
  高度  9.8mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.83mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  3  
  正向二极管电压  1.3V  
  正向跨导  88S  
  最大功率耗散  75 W  
  最大连续漏极电流  86 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  0.0034 Ω  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
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IRFI7536GPBF产品技术参数资料

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