BSC109N10NS3G,906-4416,Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC109N10NS3 G, 63 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装 ,Infineon
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
MOSFET 晶体管
>
BSC109N10NS3G
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC109N10NS3 G, 63 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
制造商零件编号:
BSC109N10NS3G
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
906-4416
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BSC109N10NS3G产品详细信息
Infineon OptiMOS?3 功率 MOSFET,100V 及以上
BSC109N10NS3G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
6.1mm
尺寸
6.1 x 5.35 x 1.1mm
典型关断延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
12 ns
典型输入电容值@Vds
1900 pF @ 50 V
典型栅极电荷@Vgs
26 nC @ 10 V
封装类型
TDSON
高度
1.1mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
5.35mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
OptiMOS 3
引脚数目
8
正向二极管电压
1.2V
正向跨导
57S
最大功率耗散
78 W
最大连续漏极电流
63 A
最大漏源电压
100 V
最大漏源电阻值
0.0109 Ω
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
BSC109N10NS3G相关搜索
安装类型 表面贴装
Infineon 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 6.1mm
Infineon 长度 6.1mm
MOSFET 晶体管 长度 6.1mm
Infineon MOSFET 晶体管 长度 6.1mm
尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm
Infineon 尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm
MOSFET 晶体管 尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm
Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm
典型关断延迟时间 19 ns
Infineon 典型关断延迟时间 19 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 19 ns
Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 12 ns
Infineon 典型接通延迟时间 12 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 12 ns
Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 12 ns
典型输入电容值@Vds 1900 pF @ 50 V
Infineon 典型输入电容值@Vds 1900 pF @ 50 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1900 pF @ 50 V
Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1900 pF @ 50 V
典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V
Infineon 典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V
Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V
封装类型 TDSON
Infineon 封装类型 TDSON
MOSFET 晶体管 封装类型 TDSON
Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TDSON
高度 1.1mm
Infineon 高度 1.1mm
MOSFET 晶体管 高度 1.1mm
Infineon MOSFET 晶体管 高度 1.1mm
晶体管材料 Si
Infineon 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Infineon 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 5.35mm
Infineon 宽度 5.35mm
MOSFET 晶体管 宽度 5.35mm
Infineon MOSFET 晶体管 宽度 5.35mm
类别 功率 MOSFET
Infineon 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Infineon 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Infineon 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Infineon 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强
系列 OptiMOS 3
Infineon 系列 OptiMOS 3
MOSFET 晶体管 系列 OptiMOS 3
Infineon MOSFET 晶体管 系列 OptiMOS 3
引脚数目 8
Infineon 引脚数目 8
MOSFET 晶体管 引脚数目 8
Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 8
正向二极管电压 1.2V
Infineon 正向二极管电压 1.2V
MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V
Infineon MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V
正向跨导 57S
Infineon 正向跨导 57S
MOSFET 晶体管 正向跨导 57S
Infineon MOSFET 晶体管 正向跨导 57S
最大功率耗散 78 W
Infineon 最大功率耗散 78 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 78 W
Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 78 W
最大连续漏极电流 63 A
Infineon 最大连续漏极电流 63 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 63 A
Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 63 A
最大漏源电压 100 V
Infineon 最大漏源电压 100 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V
Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V
最大漏源电阻值 0.0109 Ω
Infineon 最大漏源电阻值 0.0109 Ω
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.0109 Ω
Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.0109 Ω
最大栅源电压 ±20 V
Infineon 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
最低工作温度 -55 °C
Infineon 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
Infineon 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
BSC109N10NS3G产品技术参数资料
BSC109N10NS3G OptiMOS 3 Power-Transistor
Efficient Semiconductor Solutions for Motor Control and Drives
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号