BSC011N03LSI,906-4362,Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSC011N03LSI, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装 ,Infineon
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSC011N03LSI, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装

制造商零件编号：
BSC011N03LSI
库存编号：
906-4362
Infineon BSC011N03LSI
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

BSC011N03LSI产品详细信息

Infineon OptiMOS? 功率 MOSFET 系列

OptiMOS? 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式
符合汽车 AEC Q101 规格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色封装（无铅）
超低 Rds(on)

BSC011N03LSI产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.1mm  
  尺寸  6.1 x 5.35 x 1.1mm  
  典型关断延迟时间  35 ns  
  典型接通延迟时间  6.4 ns  
  典型输入电容值@Vds  4300 pF @ 15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  34 nC @ 4.5 V  
  封装类型  TDSON  
  高度  1.1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.35mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  OptiMOS  
  引脚数目  8  
  正向二极管电压  0.56V  
  正向跨导  160S  
  最大功率耗散  96 W  
  最大连续漏极电流  100 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  0.0014 Ω  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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