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安装类型	表面贴装
长度	6.1mm
尺寸	6.1 x 5.35 x 1.1mm
典型关断延迟时间	98 ns
典型接通延迟时间	27 ns
典型输入电容值@Vds	10500 pF @ -15 V
典型栅极电荷@Vgs	140 nC @ 10 V
封装类型	TDSON
高度	1.1mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	5.35mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
系列	OptiMOS P
引脚数目	8
正向二极管电压	1.1V
正向跨导	93S
最大功率耗散	125 W
最大连续漏极电流	100 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	0.0046 Ω
最大栅源电压	±25 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.1mm  Infineon 长度 6.1mm  MOSFET 晶体管 长度 6.1mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 6.1mm   尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm  Infineon 尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm   典型关断延迟时间 98 ns  Infineon 典型关断延迟时间 98 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 98 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 98 ns   典型接通延迟时间 27 ns  Infineon 典型接通延迟时间 27 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 27 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 27 ns   典型输入电容值@Vds 10500 pF @ -15 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 10500 pF @ -15 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 10500 pF @ -15 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 10500 pF @ -15 V   典型栅极电荷@Vgs 140 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 140 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 140 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 140 nC @ 10 V   封装类型 TDSON  Infineon 封装类型 TDSON  MOSFET 晶体管 封装类型 TDSON  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TDSON   高度 1.1mm  Infineon 高度 1.1mm  MOSFET 晶体管 高度 1.1mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 1.1mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 5.35mm  Infineon 宽度 5.35mm  MOSFET 晶体管 宽度 5.35mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 5.35mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  Infineon 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 OptiMOS P  Infineon 系列 OptiMOS P  MOSFET 晶体管 系列 OptiMOS P  Infineon MOSFET 晶体管 系列 OptiMOS P   引脚数目 8  Infineon 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 8   正向二极管电压 1.1V  Infineon 正向二极管电压 1.1V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.1V  Infineon MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.1V   正向跨导 93S  Infineon 正向跨导 93S  MOSFET 晶体管 正向跨导 93S  Infineon MOSFET 晶体管 正向跨导 93S   最大功率耗散 125 W  Infineon 最大功率耗散 125 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 125 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 125 W   最大连续漏极电流 100 A  Infineon 最大连续漏极电流 100 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 100 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 100 A   最大漏源电压 30 V  Infineon 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 0.0046 Ω  Infineon 最大漏源电阻值 0.0046 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.0046 Ω  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.0046 Ω   最大栅源电压 ±25 V  Infineon 最大栅源电压 ±25 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±25 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±25 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• BSC030P03NS3G OptiMOS P3 Power-Transistor