BSC030P03NS3G,906-4309,Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSC030P03NS3 G, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装 ,Infineon
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSC030P03NS3 G, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装

制造商零件编号:
BSC030P03NS3G
库存编号:
906-4309
Infineon BSC030P03NS3G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

BSC030P03NS3G产品详细信息

Infineon OptiMOS?P P 通道功率 MOSFET

Infineon OptiMOS? P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。

增强型模式
雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀;符合 RoHS 标准
标准封装
OptiMOS? P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C

BSC030P03NS3G产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.1mm  
  尺寸  6.1 x 5.35 x 1.1mm  
  典型关断延迟时间  98 ns  
  典型接通延迟时间  27 ns  
  典型输入电容值@Vds  10500 pF @ -15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  140 nC @ 10 V  
  封装类型  TDSON  
  高度  1.1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.35mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  系列  OptiMOS P  
  引脚数目  8  
  正向二极管电压  1.1V  
  正向跨导  93S  
  最大功率耗散  125 W  
  最大连续漏极电流  100 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  0.0046 Ω  
  最大栅源电压  ±25 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

BSC030P03NS3G产品技术参数资料

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