IPB065N15N3G,906-4283,Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB065N15N3 G, 130 A, Vds=150 V, 7引脚 TO-263封装 ,Infineon
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB065N15N3 G, 130 A, Vds=150 V, 7引脚 TO-263封装

制造商零件编号:
IPB065N15N3G
库存编号:
906-4283
Infineon IPB065N15N3G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IPB065N15N3G产品详细信息

Infineon OptiMOS?3 功率 MOSFET,100V 及以上

IPB065N15N3G产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.31mm  
  尺寸  10.31 x 4.57 x 9.45mm  
  典型关断延迟时间  46 ns  
  典型接通延迟时间  25 ns  
  典型输入电容值@Vds  5500 pF @ 75 V  
  典型栅极电荷@Vgs  70 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-263  
  高度  9.45mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.57mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  OptiMOS 3  
  引脚数目  7  
  正向二极管电压  1.2V  
  正向跨导  139S  
  最大功率耗散  300 W  
  最大连续漏极电流  130 A  
  最大漏源电压  150 V  
  最大漏源电阻值  0.0068 Ω  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
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