IPD048N06L3 G,906-2896,Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD048N06L3 G, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装 ,Infineon
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD048N06L3 G, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装

制造商零件编号：
IPD048N06L3 G
库存编号：
906-2896
Infineon IPD048N06L3 G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IPD048N06L3 G产品详细信息

Infineon OptiMOS?3 功率 MOSFET，60 至 80V

OptiMOS? 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET，用于 SMPS
优化技术，用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道，逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM)
极低导通电阻 R DS(on)
无铅电镀

IPD048N06L3 G产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.73 x 7.36 x 2.41mm  
  典型关断延迟时间  56 ns  
  典型接通延迟时间  11 ns  
  典型输入电容值@Vds  6300 pF @ 30 V  
  典型栅极电荷@Vgs  37 nC @ 4.5 V  
  封装类型  TO-252  
  高度  2.41mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  7.36mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  OptiMOS 3  
  引脚数目  3  
  正向二极管电压  1.2V  
  正向跨导  125S  
  最大功率耗散  115 W  
  最大连续漏极电流  90 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  0.0082 Ω  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
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IPD048N06L3 G相关搜索

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