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安装类型	通孔
长度	6.6mm
尺寸	6.6 x 2.4 x 6.2mm
典型关断延迟时间	5 ns
典型接通延迟时间	9.2 ns
典型输入电容值@Vds	538 pF @ 100 V
典型栅极电荷@Vgs	16 nC @ 10 V
封装类型	IPAK
高度	6.2mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	2.4mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	MDmesh M2
引脚数目	3
正向二极管电压	1.6V
最大功率耗散	85 W
最大连续漏极电流	9 A
最大漏源电压	600 V
最大漏源电阻值	450 mΩ
最大栅源电压	±25 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• STU12N60M2, N-Channel 600V, 9A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK Package