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安装类型	表面贴装
长度	5mm
尺寸	5 x 4 x 1.5mm
典型关断延迟时间	148 ns
典型接通延迟时间	43 ns
典型输入电容值@Vds	2850 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	22 nC @ 4.5 V
封装类型	SOIC
高度	1.5mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	4mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
系列	STripFET F6
引脚数目	8
正向二极管电压	1.1V
最大功率耗散	2.7 W
最大连续漏极电流	7 A
最大漏源电压	40 V
最大漏源电阻值	29 mΩ
最大栅源电压	±20 V
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• STS7P4LLF6, P-Channel 40V, 7A, STripFET F6 Power MOSFET in SOIC8 Package