STP16N60M2,906-2861,STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STP16N60M2, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装 ,STMicroelectronics
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STP16N60M2, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号：
STP16N60M2
库存编号：
906-2861
STMicroelectronics STP16N60M2
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

STP16N60M2产品详细信息

N 通道 MDmesh? M2 系列，STMicroelectronics

STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性，非常适合用于谐振型开关电源（LLC 转换器）。

STP16N60M2产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.4mm  
  尺寸  10.4 x 4.6 x 15.75mm  
  典型关断延迟时间  58 ns  
  典型接通延迟时间  10.5 ns  
  典型输入电容值@Vds  700 pF @ 100 V  
  典型栅极电荷@Vgs  19 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220  
  高度  15.75mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.6mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  MDmesh M2  
  引脚数目  3  
  正向二极管电压  1.6V  
  最大功率耗散  110 W  
  最大连续漏极电流  12 A  
  最大漏源电压  600 V  
  最大漏源电阻值  320 mΩ  
  最大栅源电压  ±25 V  
  最高工作温度  +150 °C  
关键词         

STP16N60M2相关搜索

安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.4mm  STMicroelectronics 长度 10.4mm  MOSFET 晶体管 长度 10.4mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 10.4mm   尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm  STMicroelectronics 尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm   典型关断延迟时间 58 ns  STMicroelectronics 典型关断延迟时间 58 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 58 ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 58 ns   典型接通延迟时间 10.5 ns  STMicroelectronics 典型接通延迟时间 10.5 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10.5 ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10.5 ns   典型输入电容值@Vds 700 pF @ 100 V  STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 700 pF @ 100 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 700 pF @ 100 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 700 pF @ 100 V   典型栅极电荷@Vgs 19 nC @ 10 V  STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 19 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 19 nC @ 10 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 19 nC @ 10 V   封装类型 TO-220  STMicroelectronics 封装类型 TO-220  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220   高度 15.75mm  STMicroelectronics 高度 15.75mm  MOSFET 晶体管 高度 15.75mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 15.75mm   晶体管材料 Si  STMicroelectronics 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  STMicroelectronics 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.6mm  STMicroelectronics 宽度 4.6mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.6mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 4.6mm   类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  STMicroelectronics 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  STMicroelectronics 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 MDmesh M2  STMicroelectronics 系列 MDmesh M2  MOSFET 晶体管 系列 MDmesh M2  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 系列 MDmesh M2   引脚数目 3  STMicroelectronics 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 引脚数目 3   正向二极管电压 1.6V  STMicroelectronics 正向二极管电压 1.6V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.6V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.6V   最大功率耗散 110 W  STMicroelectronics 最大功率耗散 110 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 110 W  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大功率耗散 110 W   最大连续漏极电流 12 A  STMicroelectronics 最大连续漏极电流 12 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 12 A  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 12 A   最大漏源电压 600 V  STMicroelectronics 最大漏源电压 600 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V   最大漏源电阻值 320 mΩ  STMicroelectronics 最大漏源电阻值 320 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 320 mΩ  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 320 mΩ   最大栅源电压 ±25 V  STMicroelectronics 最大栅源电压 ±25 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±25 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±25 V   最高工作温度 +150 °C  STMicroelectronics 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号