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安装类型	表面贴装
长度	6.9mm
尺寸	6.9 x 3.8 x 3.8mm
封装类型	HVMDIP
高度	3.8mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	3.8mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
引脚数目	4
最大连续漏极电流	1.1 A
最大漏源电压	60 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

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• IRFD9010, SiHFD9010, Power MOSFET