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安装类型	通孔
长度	10.63mm
尺寸	10.63 x 4.83 x 16.12mm
典型关断延迟时间	82 ns
典型接通延迟时间	24 ns
典型输入电容值@Vds	2714 pF @ 100 V
典型栅极电荷@Vgs	80 nC @ 10 V
封装类型	TO-220FP
高度	16.12mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	4.83mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	EF Series
引脚数目	3
正向二极管电压	1.2V
正向跨导	9.7S
最大功率耗散	39 W
最大连续漏极电流	28 A
最大漏源电压	600 V
最大漏源电阻值	123 mΩ
最大栅源电压	±30 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

安装类型 通孔  Vishay 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.63mm  Vishay 长度 10.63mm  MOSFET 晶体管 长度 10.63mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 10.63mm   尺寸 10.63 x 4.83 x 16.12mm  Vishay 尺寸 10.63 x 4.83 x 16.12mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.63 x 4.83 x 16.12mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 10.63 x 4.83 x 16.12mm   典型关断延迟时间 82 ns  Vishay 典型关断延迟时间 82 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 82 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 82 ns   典型接通延迟时间 24 ns  Vishay 典型接通延迟时间 24 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 24 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 24 ns   典型输入电容值@Vds 2714 pF @ 100 V  Vishay 典型输入电容值@Vds 2714 pF @ 100 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2714 pF @ 100 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2714 pF @ 100 V   典型栅极电荷@Vgs 80 nC @ 10 V  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 80 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 80 nC @ 10 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 80 nC @ 10 V   封装类型 TO-220FP  Vishay 封装类型 TO-220FP  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220FP  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220FP   高度 16.12mm  Vishay 高度 16.12mm  MOSFET 晶体管 高度 16.12mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 16.12mm   晶体管材料 Si  Vishay 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Vishay 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.83mm  Vishay 宽度 4.83mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.83mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 4.83mm   类别 功率 MOSFET  Vishay 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Vishay MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Vishay 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Vishay 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 EF Series  Vishay 系列 EF Series  MOSFET 晶体管 系列 EF Series  Vishay MOSFET 晶体管 系列 EF Series   引脚数目 3  Vishay 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 3   正向二极管电压 1.2V  Vishay 正向二极管电压 1.2V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V  Vishay MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V   正向跨导 9.7S  Vishay 正向跨导 9.7S  MOSFET 晶体管 正向跨导 9.7S  Vishay MOSFET 晶体管 正向跨导 9.7S   最大功率耗散 39 W  Vishay 最大功率耗散 39 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 39 W  Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 39 W   最大连续漏极电流 28 A  Vishay 最大连续漏极电流 28 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 28 A  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 28 A   最大漏源电压 600 V  Vishay 最大漏源电压 600 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V   最大漏源电阻值 123 mΩ  Vishay 最大漏源电阻值 123 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 123 mΩ  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 123 mΩ   最大栅源电压 ±30 V  Vishay 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Vishay 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 2V  Vishay 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  

• SiHF28N60EF, EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode