SiHG64N65E-GE3,903-4493,Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG64N65E-GE3, 64 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247AC封装 ,Vishay
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Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG64N65E-GE3, 64 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247AC封装

制造商零件编号：
SiHG64N65E-GE3
制造商：
Vishay Vishay
库存编号：
903-4493
Vishay SiHG64N65E-GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

SiHG64N65E-GE3产品详细信息

N 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay Semiconductor

Vishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。

特点

低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg
低输入电容 (Ciss)
低接通电阻（RDS（接通））
超低栅极电荷 (Qg)
快速切换
减少切换和传导损耗

SiHG64N65E-GE3产品技术参数

  安装类型  通孔  
  典型关断延迟时间  213 ns  
  典型接通延迟时间  66 ns  
  典型输入电容值@Vds  7497 pF @ 100 V  
  典型栅极电荷@Vgs  239 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-247AC  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  E Series  
  引脚数目  3  
  正向二极管电压  1.2V  
  正向跨导  24S  
  最大功率耗散  520 W  
  最大连续漏极电流  64 A  
  最大漏源电压  650 V  
  最大漏源电阻值  47 mΩ  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SiHG64N65E-GE3产品技术参数资料

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