SI4435DY,903-4412,Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET SI4435DY, 8.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET SI4435DY, 8.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号：
SI4435DY
库存编号：
903-4412
Fairchild Semiconductor SI4435DY
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

SI4435DY产品详细信息

PowerTrench? P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor

PowerTrench? MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。
最新的 PowerTrench? MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。
PowerTrench? MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。

SI4435DY产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  4.9mm  
  尺寸  4.9 x 3.9 x 1.57mm  
  典型关断延迟时间  42 ns  
  典型接通延迟时间  13 ns  
  典型输入电容值@Vds  1604 pF @ -15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  17 nC @ 5 V  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.57mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  3.9mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  系列  PowerTrench  
  引脚数目  8  
  正向二极管电压  1.2V  
  正向跨导  24S  
  最大功率耗散  2.5 W  
  最大连续漏极电流  8.8 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  0.035 Ω  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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电话:400-900-3095
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SI4435DY产品技术参数资料

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