关于我们 | 付款方式 | 联系我们

库存查询

安装类型	表面贴装
长度	4.9mm
尺寸	4.9 x 3.9 x 1.57mm
典型关断延迟时间	20 ns
典型接通延迟时间	5 ns
典型输入电容值@Vds	345 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	12.9 nC @ 10 V
封装类型	SOIC
高度	1.57mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	隔离式
宽度	3.9mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	2
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	8
正向二极管电压	1.2V
正向跨导	5.3S
最大功率耗散	2 W
最大连续漏极电流	3.5 A
最大漏源电压	60 V
最大漏源电阻值	300 mΩ
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	1V
关键词

安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 4.9mm  Fairchild Semiconductor 长度 4.9mm  MOSFET 晶体管 长度 4.9mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 4.9mm   尺寸 4.9 x 3.9 x 1.57mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 4.9 x 3.9 x 1.57mm  MOSFET 晶体管 尺寸 4.9 x 3.9 x 1.57mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 4.9 x 3.9 x 1.57mm   典型关断延迟时间 20 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 20 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 20 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 20 ns   典型接通延迟时间 5 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 5 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 5 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 5 ns   典型输入电容值@Vds 345 pF @ 25 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 345 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 345 pF @ 25 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 345 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 12.9 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 12.9 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 12.9 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 12.9 nC @ 10 V   封装类型 SOIC  Fairchild Semiconductor 封装类型 SOIC  MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC   高度 1.57mm  Fairchild Semiconductor 高度 1.57mm  MOSFET 晶体管 高度 1.57mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 1.57mm   晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 隔离式  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 隔离式  MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式   宽度 3.9mm  Fairchild Semiconductor 宽度 3.9mm  MOSFET 晶体管 宽度 3.9mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 3.9mm   类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 2  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 8  Fairchild Semiconductor 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 8   正向二极管电压 1.2V  Fairchild Semiconductor 正向二极管电压 1.2V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V   正向跨导 5.3S  Fairchild Semiconductor 正向跨导 5.3S  MOSFET 晶体管 正向跨导 5.3S  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 正向跨导 5.3S   最大功率耗散 2 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 2 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2 W   最大连续漏极电流 3.5 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 3.5 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3.5 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3.5 A   最大漏源电压 60 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 60 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V   最大漏源电阻值 300 mΩ  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 300 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 300 mΩ  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 300 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  

• NDS9945, Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor