FDN359BN_F095,903-4162,Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDN359BN_F095, 2.7 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装 ,Fairchild Semiconductor
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FDN359BN_F095
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDN359BN_F095, 2.7 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
制造商零件编号:
FDN359BN_F095
制造商:
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
库存编号:
903-4162
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
FDN359BN_F095产品详细信息
PowerTrench? N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor
FDN359BN_F095产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2.92mm
尺寸
2.92 x 1.4 x 0.94mm
典型关断延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
7 ns
典型输入电容值@Vds
485 pF @ 15 V
典型栅极电荷@Vgs
5 nC @ 5 V
封装类型
SOT-23
高度
0.94mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
1.4mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
PowerTrench
引脚数目
3
正向二极管电压
1.2V
正向跨导
11S
最大功率耗散
500 mW
最大连续漏极电流
2.7 A
最大漏源电压
30 V
最大漏源电阻值
46 mΩ
最大栅阈值电压
3V
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
1V
关键词
FDN359BN_F095相关搜索
安装类型 表面贴装
Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 2.92mm
Fairchild Semiconductor 长度 2.92mm
MOSFET 晶体管 长度 2.92mm
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 2.92mm
尺寸 2.92 x 1.4 x 0.94mm
Fairchild Semiconductor 尺寸 2.92 x 1.4 x 0.94mm
MOSFET 晶体管 尺寸 2.92 x 1.4 x 0.94mm
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 2.92 x 1.4 x 0.94mm
典型关断延迟时间 20 ns
Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 20 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 20 ns
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 7 ns
Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 7 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 7 ns
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 7 ns
典型输入电容值@Vds 485 pF @ 15 V
Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 485 pF @ 15 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 485 pF @ 15 V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 485 pF @ 15 V
典型栅极电荷@Vgs 5 nC @ 5 V
Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 5 nC @ 5 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 5 nC @ 5 V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 5 nC @ 5 V
封装类型 SOT-23
Fairchild Semiconductor 封装类型 SOT-23
MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23
高度 0.94mm
Fairchild Semiconductor 高度 0.94mm
MOSFET 晶体管 高度 0.94mm
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 0.94mm
晶体管材料 Si
Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 1.4mm
Fairchild Semiconductor 宽度 1.4mm
MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm
类别 功率 MOSFET
Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Fairchild Semiconductor 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Fairchild Semiconductor 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强
系列 PowerTrench
Fairchild Semiconductor 系列 PowerTrench
MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench
引脚数目 3
Fairchild Semiconductor 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3
正向二极管电压 1.2V
Fairchild Semiconductor 正向二极管电压 1.2V
MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V
正向跨导 11S
Fairchild Semiconductor 正向跨导 11S
MOSFET 晶体管 正向跨导 11S
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 正向跨导 11S
最大功率耗散 500 mW
Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 500 mW
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 500 mW
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 500 mW
最大连续漏极电流 2.7 A
Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 2.7 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 2.7 A
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 2.7 A
最大漏源电压 30 V
Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 30 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V
最大漏源电阻值 46 mΩ
Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 46 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 46 mΩ
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 46 mΩ
最大栅阈值电压 3V
Fairchild Semiconductor 最大栅阈值电压 3V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3V
最大栅源电压 ±20 V
Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
最低工作温度 -55 °C
Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小栅阈值电压 1V
Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 1V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V
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FDN359BN_F095产品技术参数资料
FDN359BN, N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
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