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安装类型	表面贴装
长度	1mm
尺寸	1 x 1.49 x 0.28mm
典型关断延迟时间	58 ns
典型接通延迟时间	14 ns
典型输入电容值@Vds	703 pF @ -4 V
典型栅极电荷@Vgs	4.9 nC @ 4 V
封装类型	DSBGA
高度	0.28mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	1.49mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
系列	NexFET
引脚数目	6
正向二极管电压	1V
正向跨导	14S
最大功率耗散	750 mW
最大连续漏极电流	3 A
最大漏源电压	8 V
最大漏源电阻值	0.053 Ω
最大栅源电压	-6 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

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