CSD13306WT,900-9927,Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD13306WT, 3.5 A, Vds=12 V, 6引脚 DSBGA封装 ,Texas Instruments
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Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD13306WT, 3.5 A, Vds=12 V, 6引脚 DSBGA封装

制造商零件编号:
CSD13306WT
库存编号:
900-9927
Texas Instruments CSD13306WT
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

CSD13306WT产品详细信息

N 通道 NexFET? 功率 MOSFET,Texas Instruments

CSD13306WT产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  1mm  
  尺寸  1 x 1.49 x 0.28mm  
  典型关断延迟时间  20 ns  
  典型接通延迟时间  7 ns  
  典型输入电容值@Vds  1050 pF @ 6 V  
  典型栅极电荷@Vgs  8.6 nC @ 0 V  
  封装类型  DSBGA  
  高度  0.28mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.49mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  NexFET  
  引脚数目  6  
  正向二极管电压  1V  
  正向跨导  15S  
  最大功率耗散  1.9 W  
  最大连续漏极电流  3.5 A  
  最大漏源电压  12 V  
  最大漏源电阻值  0.0155 Ω  
  最大栅源电压  ±10 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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