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安装类型	表面贴装
长度	6.73mm
尺寸	6.73 x 6.22 x 2.41mm
典型关断延迟时间	30 ns
典型接通延迟时间	13 ns
典型输入电容值@Vds	1228 pF @ -25 V
典型栅极电荷@Vgs	32 nC @ 10 V
封装类型	TO-252
高度	2.41mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	6.22mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
系列	SIPMOS
引脚数目	3
正向二极管电压	1.7V
正向跨导	10.4S
最大功率耗散	125 W
最大连续漏极电流	30 A
最大漏源电压	60 V
最大漏源电阻值	75 mΩ
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
关键词

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.73mm  Infineon 长度 6.73mm  MOSFET 晶体管 长度 6.73mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 6.73mm   尺寸 6.73 x 6.22 x 2.41mm  Infineon 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.41mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.41mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.41mm   典型关断延迟时间 30 ns  Infineon 典型关断延迟时间 30 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 30 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 30 ns   典型接通延迟时间 13 ns  Infineon 典型接通延迟时间 13 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13 ns   典型输入电容值@Vds 1228 pF @ -25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 1228 pF @ -25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1228 pF @ -25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1228 pF @ -25 V   典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V   封装类型 TO-252  Infineon 封装类型 TO-252  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252   高度 2.41mm  Infineon 高度 2.41mm  MOSFET 晶体管 高度 2.41mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 2.41mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.22mm  Infineon 宽度 6.22mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  Infineon 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 SIPMOS  Infineon 系列 SIPMOS  MOSFET 晶体管 系列 SIPMOS  Infineon MOSFET 晶体管 系列 SIPMOS   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   正向二极管电压 1.7V  Infineon 正向二极管电压 1.7V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.7V  Infineon MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.7V   正向跨导 10.4S  Infineon 正向跨导 10.4S  MOSFET 晶体管 正向跨导 10.4S  Infineon MOSFET 晶体管 正向跨导 10.4S   最大功率耗散 125 W  Infineon 最大功率耗散 125 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 125 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 125 W   最大连续漏极电流 30 A  Infineon 最大连续漏极电流 30 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 30 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 30 A   最大漏源电压 60 V  Infineon 最大漏源电压 60 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V   最大漏源电阻值 75 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 75 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 75 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 75 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  

• SIPMOS Power Transistor SPD30P06P