IPP65R125C7,897-7589,Infineon CoolMOS C7 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R125C7, 18 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装 ,Infineon
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Infineon CoolMOS C7 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R125C7, 18 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号:
IPP65R125C7
库存编号:
897-7589
Infineon IPP65R125C7
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IPP65R125C7产品详细信息

Infineon CoolMOS?C6/C7 功率 MOSFET

IPP65R125C7产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.36mm  
  尺寸  10.36 x 15.95 x 4.57mm  
  典型关断延迟时间  71 ns  
  典型接通延迟时间  14 ns  
  典型输入电容值@Vds  1670 pF @ 400 V  
  典型栅极电荷@Vgs  35 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220  
  高度  4.57mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  15.95mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  CoolMOS C7  
  引脚数目  3  
  正向二极管电压  0.9V  
  最大功率耗散  101 W  
  最大连续漏极电流  18 A  
  最大漏源电压  700 V  
  最大漏源电阻值  125 mΩ  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
关键词         

IPP65R125C7相关搜索

安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.36mm  Infineon 长度 10.36mm  MOSFET 晶体管 长度 10.36mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 10.36mm   尺寸 10.36 x 15.95 x 4.57mm  Infineon 尺寸 10.36 x 15.95 x 4.57mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.36 x 15.95 x 4.57mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 10.36 x 15.95 x 4.57mm   典型关断延迟时间 71 ns  Infineon 典型关断延迟时间 71 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 71 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 71 ns   典型接通延迟时间 14 ns  Infineon 典型接通延迟时间 14 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 14 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 14 ns   典型输入电容值@Vds 1670 pF @ 400 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 1670 pF @ 400 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1670 pF @ 400 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1670 pF @ 400 V   典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V   封装类型 TO-220  Infineon 封装类型 TO-220  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220   高度 4.57mm  Infineon 高度 4.57mm  MOSFET 晶体管 高度 4.57mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 4.57mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 15.95mm  Infineon 宽度 15.95mm  MOSFET 晶体管 宽度 15.95mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 15.95mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 CoolMOS C7  Infineon 系列 CoolMOS C7  MOSFET 晶体管 系列 CoolMOS C7  Infineon MOSFET 晶体管 系列 CoolMOS C7   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   正向二极管电压 0.9V  Infineon 正向二极管电压 0.9V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 0.9V  Infineon MOSFET 晶体管 正向二极管电压 0.9V   最大功率耗散 101 W  Infineon 最大功率耗散 101 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 101 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 101 W   最大连续漏极电流 18 A  Infineon 最大连续漏极电流 18 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 18 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 18 A   最大漏源电压 700 V  Infineon 最大漏源电压 700 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 700 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 700 V   最大漏源电阻值 125 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 125 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 125 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 125 mΩ   最大栅源电压 ±30 V  Infineon 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

IPP65R125C7产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号