IPA50R380CE,897-7510,Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPA50R380CE, 9.9 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220封装 ,Infineon
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IPA50R380CE
Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPA50R380CE, 9.9 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220封装
制造商零件编号:
IPA50R380CE
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
897-7510
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IPA50R380CE产品详细信息
Infineon CoolMOS? CE 功率 MOSFET
IPA50R380CE产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10.65mm
尺寸
10.65 x 4.9 x 16.15mm
典型关断延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
7.2 ns
典型输入电容值@Vds
584 pF @ 100 V
典型栅极电荷@Vgs
24.8 nC @ 10 V
封装类型
TO-220
高度
16.15mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
4.9mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
CoolMOS CE
引脚数目
3
正向二极管电压
0.85V
最大功率耗散
29.2 W
最大连续漏极电流
9.9 A
最大漏源电压
550 V
最大漏源电阻值
380 mΩ
最大栅源电压
±30 V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
IPA50R380CE相关搜索
安装类型 通孔
Infineon 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 10.65mm
Infineon 长度 10.65mm
MOSFET 晶体管 长度 10.65mm
Infineon MOSFET 晶体管 长度 10.65mm
尺寸 10.65 x 4.9 x 16.15mm
Infineon 尺寸 10.65 x 4.9 x 16.15mm
MOSFET 晶体管 尺寸 10.65 x 4.9 x 16.15mm
Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 10.65 x 4.9 x 16.15mm
典型关断延迟时间 35 ns
Infineon 典型关断延迟时间 35 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 35 ns
Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 7.2 ns
Infineon 典型接通延迟时间 7.2 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 7.2 ns
Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 7.2 ns
典型输入电容值@Vds 584 pF @ 100 V
Infineon 典型输入电容值@Vds 584 pF @ 100 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 584 pF @ 100 V
Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 584 pF @ 100 V
典型栅极电荷@Vgs 24.8 nC @ 10 V
Infineon 典型栅极电荷@Vgs 24.8 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 24.8 nC @ 10 V
Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 24.8 nC @ 10 V
封装类型 TO-220
Infineon 封装类型 TO-220
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220
Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220
高度 16.15mm
Infineon 高度 16.15mm
MOSFET 晶体管 高度 16.15mm
Infineon MOSFET 晶体管 高度 16.15mm
晶体管材料 Si
Infineon 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Infineon 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 4.9mm
Infineon 宽度 4.9mm
MOSFET 晶体管 宽度 4.9mm
Infineon MOSFET 晶体管 宽度 4.9mm
类别 功率 MOSFET
Infineon 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Infineon 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Infineon 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Infineon 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强
系列 CoolMOS CE
Infineon 系列 CoolMOS CE
MOSFET 晶体管 系列 CoolMOS CE
Infineon MOSFET 晶体管 系列 CoolMOS CE
引脚数目 3
Infineon 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3
正向二极管电压 0.85V
Infineon 正向二极管电压 0.85V
MOSFET 晶体管 正向二极管电压 0.85V
Infineon MOSFET 晶体管 正向二极管电压 0.85V
最大功率耗散 29.2 W
Infineon 最大功率耗散 29.2 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 29.2 W
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最大连续漏极电流 9.9 A
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MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 9.9 A
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最大漏源电压 550 V
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MOSFET 晶体管 最大漏源电压 550 V
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最大漏源电阻值 380 mΩ
Infineon 最大漏源电阻值 380 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 380 mΩ
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最大栅源电压 ±30 V
Infineon 最大栅源电压 ±30 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V
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最低工作温度 -40 °C
Infineon 最低工作温度 -40 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -40 °C
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最高工作温度 +150 °C
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IPA50R380CE产品技术参数资料
IPA50R380CE CoolMOS CE Power Transistor
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