IPP111N15N3 G,897-7412,Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP111N15N3 G, 83 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220封装 ,Infineon
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IPP111N15N3 G
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP111N15N3 G, 83 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220封装
制造商零件编号:
IPP111N15N3 G
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
897-7412
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IPP111N15N3 G产品详细信息
Infineon OptiMOS?3 功率 MOSFET,100V 及以上
IPP111N15N3 G产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10.36mm
尺寸
10.36 x 4.57 x 15.95mm
典型关断延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
17 ns
典型输入电容值@Vds
3230 pF@ 75 V
典型栅极电荷@Vgs
41 nC
封装类型
TO-220
高度
15.95mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
4.57mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
OptiMOS 3
引脚数目
3
正向二极管电压
1.2V
正向跨导
94S
最大功率耗散
214 W
最大连续漏极电流
83 A
最大漏源电压
150 V
最大漏源电阻值
11.3 mΩ
最大栅阈值电压
4V
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+175 °C
最小栅阈值电压
2V
关键词
IPP111N15N3 G相关搜索
安装类型 通孔
Infineon 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 10.36mm
Infineon 长度 10.36mm
MOSFET 晶体管 长度 10.36mm
Infineon MOSFET 晶体管 长度 10.36mm
尺寸 10.36 x 4.57 x 15.95mm
Infineon 尺寸 10.36 x 4.57 x 15.95mm
MOSFET 晶体管 尺寸 10.36 x 4.57 x 15.95mm
Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 10.36 x 4.57 x 15.95mm
典型关断延迟时间 32 ns
Infineon 典型关断延迟时间 32 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 32 ns
Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 17 ns
Infineon 典型接通延迟时间 17 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 17 ns
Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 17 ns
典型输入电容值@Vds 3230 pF@ 75 V
Infineon 典型输入电容值@Vds 3230 pF@ 75 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3230 pF@ 75 V
Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3230 pF@ 75 V
典型栅极电荷@Vgs 41 nC
Infineon 典型栅极电荷@Vgs 41 nC
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 41 nC
Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 41 nC
封装类型 TO-220
Infineon 封装类型 TO-220
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220
Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220
高度 15.95mm
Infineon 高度 15.95mm
MOSFET 晶体管 高度 15.95mm
Infineon MOSFET 晶体管 高度 15.95mm
晶体管材料 Si
Infineon 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Infineon 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 4.57mm
Infineon 宽度 4.57mm
MOSFET 晶体管 宽度 4.57mm
Infineon MOSFET 晶体管 宽度 4.57mm
类别 功率 MOSFET
Infineon 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Infineon 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Infineon 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Infineon 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强
系列 OptiMOS 3
Infineon 系列 OptiMOS 3
MOSFET 晶体管 系列 OptiMOS 3
Infineon MOSFET 晶体管 系列 OptiMOS 3
引脚数目 3
Infineon 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3
正向二极管电压 1.2V
Infineon 正向二极管电压 1.2V
MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V
Infineon MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V
正向跨导 94S
Infineon 正向跨导 94S
MOSFET 晶体管 正向跨导 94S
Infineon MOSFET 晶体管 正向跨导 94S
最大功率耗散 214 W
Infineon 最大功率耗散 214 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 214 W
Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 214 W
最大连续漏极电流 83 A
Infineon 最大连续漏极电流 83 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 83 A
Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 83 A
最大漏源电压 150 V
Infineon 最大漏源电压 150 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 150 V
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最大漏源电阻值 11.3 mΩ
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MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 11.3 mΩ
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最大栅阈值电压 4V
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MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V
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最大栅源电压 ±20 V
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MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
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最低工作温度 -55 °C
Infineon 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +175 °C
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MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C
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最小栅阈值电压 2V
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MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V
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IPP111N15N3 G产品技术参数资料
IPB108N15N3 G, IPP111N15N3 G, IPI111N15N3 G, OptiMOS3 Power MOSFET Transistor
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