SPU07N60C3,897-7309,Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPU07N60C3, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-251封装 ,Infineon
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPU07N60C3, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-251封装

制造商零件编号:
SPU07N60C3
库存编号:
897-7309
Infineon SPU07N60C3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

SPU07N60C3产品详细信息

Infineon CoolMOS?C3 功率 MOSFET

SPU07N60C3产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.73 x 2.41 x 6.22mm  
  典型关断延迟时间  60 ns  
  典型接通延迟时间  6 ns  
  典型输入电容值@Vds  790 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  21 nC  
  封装类型  TO-251  
  高度  6.22mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  2.41mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  CoolMOS C3  
  引脚数目  3  
  正向二极管电压  1.2V  
  正向跨导  6S  
  最大功率耗散  83 W  
  最大连续漏极电流  7.3 A  
  最大漏源电压  650 V  
  最大漏源电阻值  600 mΩ  
  最大栅阈值电压  2.9V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2.1V  
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电话:400-900-3095
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SPU07N60C3产品技术参数资料

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